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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点,从而可以采用氮化镓制作半导体材料,而得到氮化镓半导体器件。 目...
氮化镓外延片生长工艺较为复杂,多采用两步生长法,需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度,以防止氮化镓外延片因晶格失配...
随着半导体化合物持续发展,相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体,第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。以SiC和G...
与普通半导体的硅材料相比,氮化镓的带隙更宽且导热好,能够匹配体积更小的变压器和大功率电感,所以氮化镓充电器有体积小、效率高、更安全等优势。
相对于硅材料,使用氮化镓制造新一代的电力电子器件,可以变得更小、更快和更高效。这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本,允许设备在更高的温度、电...
第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势。因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件能在更高的温度下稳定运...
氮化镓是半导体与微电子产业的新星,其高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。业界已经公认氮化镓(GaN)半导体器件产品将统治微波放大...
随着消费电子产品、电动车、家用电器等产品更新换代,产品的性能也越来越受重视,尤其是在功率设计方面。如何提升电源转换能效,提高功率密度水平,延长电池续航时...
氮化镓工艺技术是什么意思? 氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常...
氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
自打百瓦快充大战兴起,充电器的功率密度不断提升,氮化镓和碳化硅第三代半导体的加入,使得PD快充可以做更小体积,纵使是百瓦也能做成一个非常小的尺寸。 ...
随着氮化镓技术的不断发展,氮化镓也应用在了很多新兴领域,充电头网此次选取了手机、车充、PC电源、服务器电源、笔记本适配器、户外电源等新场景,帮助大家掌握...
对于 GaN,中文名氮化镓,我们实在是听得太多了。 这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始,一夜之间,GaN 就如雨后春笋般...
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