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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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对于 GaN,中文名氮化镓,我们实在是听得太多了。 这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始,一夜之间,GaN 就如雨后春笋般...
氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关,更高的热导率和更低的导通电阻,氮化镓基功率器件...
氮化镓基Micro LED新突破可实现更高显示分辨率与调制速率
氮化镓(GaN)基Micro LED由于在新一代显示技术、高速可见光通信等方面有着广泛的应用前景,吸引了众多研究者的关注。相比于常规尺寸LED,Micr...
GaN 的普及根植于其高电源和高电压功能。这些特性使其适用于许多应用,包括微波射频 (RF) 和功率开关应用。
了解氮化镓 -宽带隙半导体:为什么? -氮化镓与其他半导体的比较(FOM) -如何获得高片电荷和高迁移率?
一旦硅开始达不到电路需求,碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比,这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产...
传统上,半导体生产中最常用的材料是硅(Si),因为它丰富且价格合理。但是,半导体制造商可以使用许多其他材料。此外,它们中的大多数还提供额外的好处,例如碳...
在进行碳化硅、氮化镓功率器件研发和特性评估、功率模块开发和特性评估、电源设计器件选型、电源调试以及学术研究时,都需要对其驱动波形进行测试,这时大多数工程...
氮化镓(GaN)是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的导热性和更低的导通电阻,其性能明显...
氮化镓不仅受到近距离无线充电的欢迎,比如高合汽车采用GaN无线充电,而且远距离无线输电也在采用氮化镓技术。
制造大直径GaN衬底的要点(钠熔剂法) 丰田合成表示,6英寸功率半导体氮化镓衬底的研发得益于早期LED氮化镓衬底技术的积累。
2022-11-18 标签:氮化镓 2454 0
报告内容包含: 动机 理论计算 氮化镓材料参数 固有载流子浓度 击穿电压 (VB) 通态电阻 (RON)
MICLEDI认为,其Micro LED全彩显示器制造方法具有独特的优势,可满足AR眼镜最高性能标准。目前,相较用于户外的AR眼镜,用于室内或较暗场景的...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驱动电源-常规双极驱动程序 GaN GIT (G...
当受到战术机动性和极端操作环境的限制时,有效平衡性能、基本功率、重量、散热和成本的解决方案。这款可旋转有源电子扫描阵列(AESA)融合了氮化镓(GaN)...
在新能源汽车方面主要应用在DC/AC逆变器、DC/DC转换器;3)在工业领域方面主要应用在电力配送、铁路运输、光伏产业、电机控制以及风电涡轮机。
新能源车的功率控制单元(PCU)是汽车电驱系统的中枢神经,管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统 PCU 使用硅基材料半导体制成,强电流与高压...
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