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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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当受到战术机动性和极端操作环境的限制时，有效平衡性能、基本功率、重量、散热和成本的解决方案。这款可旋转有源电子扫描阵列(AESA)融合了氮化镓(GaN)...
在新能源汽车方面主要应用在DC/AC逆变器、DC/DC转换器；3）在工业领域方面主要应用在电力配送、铁路运输、光伏产业、电机控制以及风电涡轮机。
新能源车的功率控制单元（PCU）是汽车电驱系统的中枢神经，管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统 PCU 使用硅基材料半导体制成，强电流与高压...
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有...
两款900V FET均属于常闭型器件，通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。
初级主控芯片来自智融，型号为SW1106，是一颗支持增强型氮化镓开关管直驱的高频反激准谐振控制器，芯片内部集成氮化镓驱动器，驱动电压为6V，可直接驱动增...
2022-09-13 标签：氮化镓 1792 0
GaN产业链按环节分为Si衬底(或GaN单晶衬底、SiC、蓝宝石)、GaN材料外延、器件设计、器件制造、封测以及应用。各个环节国内均有企业涉足,如在射频...
氮化镓复合物由镓和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构(图1-1)是一种六边形结构，其特征是有两个晶格常数(图中标记为a 和 c)。
近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能...
GaN 功率器件的卓越电气特性正在逐步淘汰复杂工业电机控制应用中的传统 MOSFET 和 IGBT。
提供精确测量磁芯损耗的能力对于磁设计和热设计具有重要意义。由于碳化硅和氮化镓等能够在越来越高的频率下运行的新半导体技术的引入，该主题变得越来越重要。这些...
氮化镓 (GaN) 技术：属性、优点、不同制造工艺及最新进展
本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱...
晶体结构是通过原子（或离子/分子）组的周期性分布来实现的。理想情况下，考虑到在空间坐标中延伸到无穷大的晶体，周期性转化为平移不变性（或平移对称性）。因此...
在过去几年中，氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WB...
氮化镓是电力电子行业的热门话题，因为它可以为电信电源等应用提供高效设计；电动汽车充电；加热，通风和空调; 电器；和消费电源适配器。在工业应用中，氮化镓取...
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...
就像生活中的现实一样，当老年人离开年轻人的舞台时，Silicon 正在鞠躬。氮化镓 (GaN) 的出现和采用已成功地逐步淘汰了旧的可靠硅。四十多年来，随...
对于那些坚持使用经典放大器拓扑结构的人来说，他们的要求将集中在准确的音频再现上，而很少考虑解决方案的整体电气效率。虽然这在家庭音频环境中是完全合理的，但...
MasterGaN 将硅与 GaN 相结合，以加速创建下一代紧凑型高效电池充电器和电源适配器，适用于高达 400 W 的消费和工业应用。通过使用 GaN...
已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管 （HEMT）的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 （MIS） 结构，2具有由电压驱...
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