氮化镓

采用LDR6282的PD协议芯片的充电+拓展+投屏三合一的Type-C适配器拆解

双口DRP USB PD Controller LDR6282，顺利通过了USB-IF的PD3.0认证，TID: 2127。LDR6282芯片具有双C口...

2022-05-13 标签：适配器扩展坞PD 6930 0

意法半导体首款氮化镓功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计

VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压（9 V至23 V）下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(Ga...

2022-05-12 标签：转换器意法半导体氮化镓 5733 0

如何对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀

氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优...

2022-04-26 标签：发光二极管氮化镓蚀刻 2121 0

现场可编程门阵列 (FPGA) 电源设计

为了扩大 GaN 在汽车、并网存储和太阳能等新应用中的应用（图 3），TI 正在展示其自己的对流冷却、900V、5kW 双向 AC/DC 平台。 该平台...

2022-04-22 标签：fpga氮化镓GaN 5246 0

一种强有力的各向异性湿法化学刻蚀技术

我们展示了在c平面蓝宝石上使用磷酸、熔融氢氧化钾、氢氧化钾和乙二醇中的氢氧化钠生长的纤锌岩氮化镓的良好控制结晶蚀刻，蚀刻速率高达3.2mm/min。晶体...

2022-04-14 标签：工艺氮化镓蚀刻 1444 0

氮化镓(GaN)技术的优势及应用领域

氮化镓 (GaN) 晶体管于 20 世纪 90 年代亮相，目前广泛应用于商业和国防领域，但工程应用可能大相径庭。不相信?可以理解。但在您阅读本书之后，可...

2022-03-10 标签：射频氮化镓GaN 1.0万 0

GaN衬底制造过程中N面氮化镓清洗工艺的研究报告

氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性，已成为短波长发射器（发光二极管和二极管激光器）和探测器等许多光电应用的诱人半导体，以及高功率和高温电子器件。...

2022-02-08 标签：氮化镓CMPGaN 3426 0

射频硅基氮化镓：两个世界的最佳选择

在现代5G无线电架构中部署的射频功率放大器（PA）在满足对更高性能和更低成本的明显矛盾的需求方面起着重要作用。

2022-01-26 标签：射频功率放大器无线电 3939 0

利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源

在传统的有源钳位设计中，初级MOSFET和有源钳位开关以互补方式进行工作（因此这些钳位电路被称为“互补模式有源钳位”电路）。

2021-10-27 标签：变压器MOSFET氮化镓 1425 0

氮化镓如何使更轻小的5G解决方案成为可能

随着 5G 的推出，下一代蜂窝网络有望提供三种非常重要的功能，进而改变我们应用无线技术的方式。

2021-09-15 标签：无线电氮化镓栅极驱动器 3804 0

氮化镓充电器有什么优点？拆解倍思120W氮化镓充电器,从内部来看这个充电器如何?

倍思120W氮化镓充电器是一款120W氮化镓 (GaN）+碳化硅（SiC) 充电器。 有2个USB Type-C输出接口和1个USB Type-A输出接...

2021-08-31 标签：充电器asic氮化镓 1.1万 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化镓技术的“甜区”在哪里？

2021-06-02 标签：MOSFET逆变器IGBT 3019 0

ROHM借助更合适的同步整流技术满足市场需求

如果控制器的输出和栅极之间存在不连续的情况，那么MOSFET将无法打开，且电流会流过体二极管，从而导致MOSFET过热。

2021-05-18 标签：MOSFET氮化镓同步整流 1739 0