氮化镓

电机驱动中氮化镓技术的应用前景

通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用...

2021-04-28 标签：电机驱动功率器件氮化镓 2581 0

用氮化镓消除激光雷达的障碍

激光雷达的全称是光检测和测距，即通过光波段中的电磁辐射所进行的（远程）检测和测量。这种装置采用了经典、简单的雷达原理，不同的是它使用的是由激光脉冲所组成...

2021-04-14 标签：传感器氮化镓激光雷达 1181 0

【全套国产芯片】亚成微65W高功率密度氮化镓快充参考设计评测

对亚成微 65W氮化镓快充参考设计进行温升测试，在温度约为25℃的恒温箱内以 功率持续输出1小时，测得该方案正面最高温度约为108℃，最高温度点出现在变...

2021-04-02 标签：微控制器pcb氮化镓 3066 0

GaN Charger推荐方案- HGN093N12S/SL高频应用MOSFET

选用本款HGN093N12S/SL产品， 可以让客户提高整机效率， 并且温度也随之下降， 效率提升之外， 整体表现与CP值都能有效提升。

2021-03-23 标签：MOSFETMOS管氮化镓 3361 0

详谈氮化镓充电器的发展趋势及现状

氮化镓（gallium nitride，GaN）是下一代半导体材料，其运行速度比旧式传统硅（Si）技术快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快...

2021-02-25 标签：充电器氮化镓快充技术 3441 0

SiC与石墨烯覆盖层一起用于GaN膜的生长

氮化镓（GaN）为从RF-IC到众多功率控制IC（例如通信，能源和军事应用中使用的大功率HEMT）等各种模拟微芯片提供了显着的性能优势。GaN还是高能效...

2021-04-04 标签：ledSiC氮化镓 1591 0

高功率密度AC/DC转换器（电源）的解决方案

传统的电源转换解决方案通过增加开关频率以允许使用更小的变压器来减小电源的尺寸。

2021-03-27 标签：变压器转换器氮化镓 3215 0

基于SiC或GaN的功率半导体应用设计

工程师对电磁干扰，并行化和布局非常熟悉，但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 芯片显示，基于硅（Si）的半导体比宽带隙（WBG...

2021-04-06 标签：电磁干扰SiC氮化镓 3470 0

基于MinE-CAP的电源转换解决方案

Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技术，该技术是具有通用输入的高功率密度AC / DC转换器（电源）的解决方案。除了将高...

2021-04-07 标签：电容器晶体管氮化镓 2463 0

基于GaN的D类放大器设计

高保真声音再现发烧友是氮化镓（GaN）基本质量的最新受益者，因为它使这些发烧友在充满挑战的环境中得到了喘息。GaN解决了他们关于最佳家庭音频设置构成的难...

2021-04-19 标签：音频放大器D类放大器氮化镓 4060 0

基于GaN的功率晶体管和集成电路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

2021-04-23 标签：MOSFET晶体管功率器件 3471 0

C2000™实时微控制器 （MCU）应对GaN 开关挑战

与碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化镓 （GaN） 场效应晶体管 （FET） 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换...

2021-05-17 标签：mcu氮化镓碳化硅 3089 0