氮化镓

基于GaN晶体管的500W电机驱动方案 GaN和汽车究竟是什么关系

电机是全球耗电大户，尽管电压很高，硅仍然是主流。不过，GaN 和 SiC 都在向高效率变频驱动的电机驱动系统进军。但这个市场非常保守，适应新技术的速度很...

2021-05-21 标签：MOSFET氮化镓碳化硅 4463 0

氮化镓和Sslicon在各种性能指标上的比较

硅制造技术已经足够成熟，可以大规模生产直径达18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底选择范围从硅或蓝宝石基底（便宜但较大的晶...

2021-05-26 标签：微处理器晶体管氮化镓 1600 0

基于GaN芯片的电源转换方案设计

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化镓（GaN）功率器件已投入生产10多年，除了性能和成本方...

2021-05-26 标签：功率器件氮化镓GaN 3033 0

iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势

GaN晶体管支持大多数包含单独功率因数校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC电源：前端、无电桥PFC以及其后的LLC谐振转换器（两个电感和一个电容）...

2020-09-28 标签：adi晶体管氮化镓 4458 0

激光雷达的工作原理及如何利用氮化镓消除隐患

在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容...

2021-02-21 标签：散热器氮化镓GaN 6703 0

调节氮化镓热量实现高温稳定性的MEMS谐振器

尽管基于硅的MEMS谐振器实现了高的时间分辨率，并且具有较小的相位噪声和更理想的集成能力，但是它在较高温度下不稳定。

2021-01-29 标签：CMOS氮化镓MEMS谐振器 2241 0

GaN将彻底改变数据中心电源 数据中心市场是下一个角逐点

高可靠性，高性能氮化镓功率转换产品供应商Transphorm与贝尔集团（Bel Group）联合宣布Bel的钛效率电源中使用了六个Transphorm的...

2021-01-22 标签：功率转换器氮化镓GaN 1995 0

基于增强型氮化镓（eGaN®技术）的电源转换器设计

基于增强型氮化镓（eGaN®技术）的电源转换器的优点，其现有数据中心和集中于低至1VDC负载电压的48 VDC输入电压所用的电信架构解决方案。

2021-01-20 标签：服务器电源转换器氮化镓 2537 0

一文解读DC/DC转换器的热管理及热分析

系统级热设计对于DC / DC转换器的电气规格同样重要。越来越多的分布式电源架构（DPA）使用增加了热设计的复杂性。

2021-01-20 标签：热敏电阻DC-DC转换器氮化镓 5540 0

什么是激光雷达 如何用氮化镓消除激光雷达

在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件（例如MOSFET）无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容...

2021-01-11 标签：激光器氮化镓adas 5083 0

基于GaN晶体管的特性测量交叉导通方案

验证电源半桥拓扑是否正确交叉导通的常用方法是使用两个探针同时验证高压侧和低压侧驱动信号之间的死区时间。

2021-01-08 标签：开关电源晶体管氮化镓 2450 0

线性S参数数据与非线性数据相结合的RF放大器模型结构解析

传统上，线性和非线性RF电路仿真占据了不同领域。为了仿真级联小信号增益和损耗，RF设备设计人员传统上一直广泛使用S参数器件模型。由于缺乏数字形式的数据（...

2020-12-21 标签：放大器氮化镓模拟系统 3010 0

Qorvo是如何布局5G射频 持续整合的自屏蔽模块是未来趋势

5G 使得通信行业迎来重大变革，通信频段数量从 4G 时代开始就处于快速增长的状态，其中射频前端作为手机通信功能的核心组件，将直接受益。

2020-09-03 标签：射频emi氮化镓 4412 0

利用氮化镓场效应晶体管和LM5113半桥驱动器实现的功率及效率

但如何能够产生所要求的快速变化、带宽处于数十兆赫兹（MHz）范围的供电电压？我们可以通过不同的方法来实现。其中一个方法是使用如图2所示的混合式线性放大器...

2020-08-26 标签：驱动器晶体管氮化镓 2806 0