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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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工程师对电磁干扰，并行化和布局非常熟悉，但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时，需要多加注意。 芯片显示，基于硅（Si）的半导体比宽带隙（WBG...
Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技术，该技术是具有通用输入的高功率密度AC / DC转换器（电源）的解决方案。除了将高...
高保真声音再现发烧友是氮化镓（GaN）基本质量的最新受益者，因为它使这些发烧友在充满挑战的环境中得到了喘息。GaN解决了他们关于最佳家庭音频设置构成的难...
基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
与碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化镓 （GaN） 场效应晶体管 （FET） 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换...
基于GaN晶体管的500W电机驱动方案 GaN和汽车究竟是什么关系
电机是全球耗电大户，尽管电压很高，硅仍然是主流。不过，GaN 和 SiC 都在向高效率变频驱动的电机驱动系统进军。但这个市场非常保守，适应新技术的速度很...
硅制造技术已经足够成熟，可以大规模生产直径达18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底选择范围从硅或蓝宝石基底（便宜但较大的晶...
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化镓（GaN）功率器件已投入生产10多年，除了性能和成本方...
iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势
GaN晶体管支持大多数包含单独功率因数校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC电源：前端、无电桥PFC以及其后的LLC谐振转换器（两个电感和一个电容）...
在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容...
尽管基于硅的MEMS谐振器实现了高的时间分辨率，并且具有较小的相位噪声和更理想的集成能力，但是它在较高温度下不稳定。
高可靠性，高性能氮化镓功率转换产品供应商Transphorm与贝尔集团（Bel Group）联合宣布Bel的钛效率电源中使用了六个Transphorm的...
基于增强型氮化镓（eGaN®技术）的电源转换器的优点，其现有数据中心和集中于低至1VDC负载电压的48 VDC输入电压所用的电信架构解决方案。
系统级热设计对于DC / DC转换器的电气规格同样重要。越来越多的分布式电源架构（DPA）使用增加了热设计的复杂性。
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验证电源半桥拓扑是否正确交叉导通的常用方法是使用两个探针同时验证高压侧和低压侧驱动信号之间的死区时间。
传统上，线性和非线性RF电路仿真占据了不同领域。为了仿真级联小信号增益和损耗，RF设备设计人员传统上一直广泛使用S参数器件模型。由于缺乏数字形式的数据（...
氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲...
随着氮化镓器件性能的提高，人们对这些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化镓器件被用于广阔的全新应用。
业界正在考虑使用新的半导体工艺。基于氮化镓（GaN）的芯片用于功率控制器和发射器与接收器之间的无线电链路。
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