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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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在PC电源和充电器市场，从去年开始便流行起一个名为GaN（氮化镓）的概念，并因这项技术的加盟获得了更为出色的电气性能。那么，GaN到底是一种怎样的技术，...
2020年迎来了氮化镓快充的大爆发，目前已经开始渗透到手机和笔记本等电子设备的配件市场，并且市场容量增长迅速。据充电头网了解，目前华为、小米、三星、OP...
碳化硅基氮化镓功率放大器和mMIMO天线在部署5G服务中的应用
为了能够满足这些新应用程序所需必要的网络吞吐量和可靠性，则需要运用新的技术。实现下一层级互联互通的部分问题在于，在为同一区域内的一个量级或更多附加用户设...
氮化镓GaN详细对比分析 纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用
作者：马坤 （邮箱：kuner0806@163.com） 随着中国芯GaN产品上市，引起了大家的关注，PD产品更是多姿多彩；纳微GaN产品和英诺赛科Ga...
东微半导体超级硅MOSFET系列产品，可取代了氮化镓高能效要求
东微半导体的GreenMOS系列产品是国内最早量产并进入工业级应用的高压超级结产品系列，在国产品牌中占有领先地位，广泛应用于充电桩模块，通讯电源等大功率...
由于2 月13 日小米在新品发表会中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化镓(GaN) 作为原料的充电器，一时间原本GaN 在射频领域热烧的话题，快...
整理了市面上发售的氮化镓GaN 充电器产品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用纳微GaN产品（QR／ACF＋N...
介绍 最新的纳微GaNFast 电源集成电路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封装内。这个封装增加了一个大的冷却片，用于降低封装的热...
采用NV611X系列氮化镓GaN 半桥应用PCB layout
采用NV611X系列氮化镓GaN 半桥应用PCB layout 作者 ：马坤 邮箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半桥应用电路图...
采用NV611X系列氮化镓（GaN）进行电源设计热处理及PCB layout 注意事项
介绍 GaN功率集成电路提供超低电容，优良的开关特性，低RDS（ON），封装在一个小QFN封装里。这些特性使GaN非常适合在高频下工作，并支持高密度电源...
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的...
多数电源应用必须减少电磁干扰 （EMI） 以满足相关要求，系统设计人员必须尝试各种方法来减少传导和辐射发射。
随着技术的发展，终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，特别是随着5G的即将到来，也进一步推动了以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材...
电子工业正在尽可能地将硅最大化应用，但其毕竟还是有局限的，这就是为什么研究人员正在探索其它材料，如碳化硅，氮化镓和氧化镓。虽然氧化镓的导热性能较差，但其...
许多厂商都提供了门驱动芯片，这些芯片是十分有价值的，允许用户为选定的GaN器件、转换速度和其他因素进行调节。在这些驱动芯片中，来自TI的LMG1205可...
GaN在成本控制方面显示出了更强的潜力。目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件，来替代昂贵的SiC衬底。有分析预测，到2019年Ga...
自从20年前第一批商用产品问世，GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并且，正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN...
德州仪器的默认过流保护方法被归类为“电流锁存”保护；这意味着，若在器件中检测到任何过流故障，FET将安全关断，并在故障复位前保持关断状态。在我们的70m...
观看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天与国防业务部门总经理）的访谈，了解氮化...
FLOSFIA公司的厉害之处，恰恰是克服了这一阻碍新技术发展的、高成本这一问题。碳化硅和氮化镓成本高的原因在于其从密度较小的气体通过结晶的方法获得。密度...
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