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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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而GaN技术可以做到,因为它是目前全球最快的功率开关器件,并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平,能够应用于更小的元件,应用于充电器时可以有效缩小产...
虽然晶体管没有夹断,但栅极电位确实调制了漏极电流(高达1.8倍,栅极为-10V,图2)。根据模拟,夹断发生在-112V左右。将其放在一位数范围内需要缩小...
华南师范大学和北京大学在(100)硅上开发了基于氮化镓(GaN)微丝阵列的紫外(UV)金属 - 半导体 - 金属(MSM)探测器。
与传统的金属氧化物(LDMOS)半导体相比,硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%,每个单位面积的功率提升了4~6倍数,从而降低整体...
输入电压兼容TTL电平,并且最大输入电压可以高达14V,而不考虑VDD轨电压。同时,在高侧/低侧的应用中,低传播延迟和轨到轨的时钟倾斜对效率也是至关重要...
移动通信标准5G开发基于氮化镓(GaN)的经济高效的高性能技术
基站是蜂窝网络的连接点。它们记录无线电小区的传输数据并将其传递。为了确保未来毫米波频段内的数据泛滥,基站技术需要满足两个标准:输出功率需要提高,同时保持...
氮化镓技术研究新进展,如何作为“电力电子应用中敏感探针”使用?
美国康奈尔大学,IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地将埋入式p型GaN层活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...
欧盟制定了一个雄心勃勃的目标,即到2050年将其总体温室气体排放量降低至少80%。要实现该目标,汽车行业的贡献将非常重要。美国企业平均燃油经济性(CAF...
中国首家商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业苏州能讯高能半导体有限公司 (Dynax Semiconductor, Inc.),发布适合5G移动通信的宽...
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄。氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质...
为管理今天的热设计,电路设计人员让热量在半导体表面扩散,增加器件单元之间的距离或缩小器件单元。但是,热设计不仅仅是芯片层面。封装工程人员也必须帮忙,因为...
最近,麻省理工学院(MIT)、半导体公司IQE、哥伦比亚大学、IBM以及新加坡MIT研究与技术联盟的科研人员展示出一项新型设计,让氮化镓功率器件处理的电...
以前,GaN还是反射频电子战(CREW)应用的首选技术; 现在,GaN已被部署到机载电子战领域; 未来,GaN将会越来越多的用于工作在毫米波频率的系统。
实现超高功效的新一代非对称型Doherty放大器QPD2731
该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管,可最大限度提高线性度、效率和增益,并最终降低运营成本。
今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。 GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟,并且还抓住了...
“设计人员必须知道如何正确且安全地构建这些产品,这也需要更高的专注度和更加严格的要求,因为通常设计人员面临的不仅仅是一个电气问题,”TI的电源管理专家D...
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