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氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能，GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法...
半导体材料是半导体产业的核心，它是制造电子和计算机芯片的基础。半导体材料的种类繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文将介绍现代半导体产业中常用的半导...
本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导...
本推文简述氮化镓器件，主要包括GaN HEMT和二极管，帮助读者了解Sentaurus TCAD仿真氮化镓器件的相关内容。
氮化镓激光芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高温、耐腐蚀等优点，被广泛应用于通信、医疗、工业等领域。下面我们将详细介绍氮化镓...
倍思氮化镓充电器是一款优秀的充电器，具有高效、快速、安全、环保等优点。下面我们将详细介绍倍思氮化镓充电器的优缺点、使用体验和与其他产品的比较，帮助您更好...
氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领...
什么是氮化镓 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，自1990年起常用在发光二极管...
氮化镓充电器和普通充电器是两种不同的充电设备，它们在充电速度、充电效率、体积大小、重量、安全性能等方面存在一些差异。下面我们将详细介绍氮化镓充电器和普通...
随着科技的发展，电子产品已经成为了我们生活中的必需品。而为了保持这些产品的正常运行，需要一种高效、快速、安全的充电方式。氮化镓充电器就是一种基于氮化镓半...
SiC的导热性大约是Si的三倍，并且将其他特性的所有优点结合在一起。导热率是指热量从半导体结传递到外部环境的速度。这意味着SiC器件可以在高达200°C...
简单来说，化成分容就是为了激活电池。通常离子电池经过繁杂的工序，只是生成半成品电芯，还未完成激活就无法正常使用，因此需要化成分容设备激活内部的活性物质，...
以碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体可在功率转换应用中实现更快的开关速度、更低的损耗和更高的功率密度。随着功率半导体效率的提高，碳化...
新型电子器件 GaN 材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE 技术在 GaN 材料...
提高功率密度和缩小电源并不是什么新鲜事。预计这一趋势将持续下去，从而实现新的市场、应用和产品。这篇博客向设计工程师介绍了意法半导体（ST）的电源解决方案...
功率密度的大幅提升离不开第三代半导体的助力，氮化镓是第三代半导体材料的典型代表，它可在更高的频率下运行，且具有更快的开关速度和更低的功耗。2018年前后...
氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。 氮化镓材料为第三代半导体材料的典...
近日，厦门大学电子科学与技术学院张保平教授等在氮化镓垂直腔面发射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新进展，相关成果以“Green Vertical-C...
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