氮化镓

南芯POWERQUARK®系列AC/DC转换器解决方案

功率密度的大幅提升离不开第三代半导体的助力，氮化镓是第三代半导体材料的典型代表，它可在更高的频率下运行，且具有更快的开关速度和更低的功耗。2018年前后...

2023-11-15 标签：MOS功率器件氮化镓 358 0

一文解析氮化嫁技术及产业链

氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。 氮化镓材料为第三代半导体材料的典...

2023-11-14 标签：新能源汽车射频功率器件 671 0

厦门大学张保平教授课题组发表绿光GaN基VCSEL重要成果

近日，厦门大学电子科学与技术学院张保平教授等在氮化镓垂直腔面发射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新进展，相关成果以“Green Vertical-C...

2023-11-10 标签：激光器氮化镓VCSEL 809 0

GaN HEMT器件结构解析

硅材料的功率半导体器件已被广泛应用于大功率开关中，如电源、电机控制、工厂自动化以及部分汽车电子器件。这些硅材料功率半导体器件都着重于减少功率损耗。在这些...

2023-11-09 标签：集成电路氮化镓功率半导体 1657 0

氮化镓(GaN)功率器件技术解析

氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电...

2023-11-06 标签：MOSFET晶体管功率器件 1.0万 0

一文详解PowiGaN、硅和SiC性能比较

基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 开关是PI恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技术...

2023-11-02 标签：MOS管氮化镓GaN 715 0

什么是氮化镓(GaN)？GaN的优势和应用领域

GaN近期为何这么火？如果再有人这么问你，你可以这样回答：因为我们离不开电源。

2023-11-02 标签：半导体功率开关氮化镓 5156 0

预匹配氮化镓功放管参考应用电路

基于D1A32 GaN器件设计的功放，在1.3-1.8GHz内, 饱和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse输入,周期为1mS...

2023-11-02 标签：雷达氮化镓GaN 526 0

小米140W氮化镓充电器拆解评测

PFC开关管来自纳微，型号NV6136C，这是一颗高集成的氮化镓功率芯片，内置驱动器以及高精度无损耗电流采样电路，消除取样电阻的损耗。NV6136C内置...

2023-10-31 标签：充电器DC-DC氮化镓 1862 0

氮化镓（GaN）宽带隙技术的电源应用设计

随着世界希望电气化有助于有效利用能源并转向可再生能源，氮化镓（GaN）等宽带隙半导体技术的时机已经成熟。传统硅MOSFET和IGBT的性能现在接近材料的...

2023-10-25 标签：宽带氮化镓GaN 1632 0

讯天宏100W氮化镓充电器详细的拆解报告

讯天宏这款氮化镓充电器采用多块小板组合焊接而成，PCBA模块正面覆盖黄铜散热片，背面粘贴导热垫加强散热。充电器内置恩智浦TEA2016高集成电源芯片，内...

2023-10-20 标签：二极管充电器氮化镓 1036 0

垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

使用GaN（氮化镓）的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新技术，解决了导致其全面推广的问题。

2023-10-20 标签：充电器晶圆氮化镓 1453 0

氮化镓晶体管简化大电流电机驱动逆变器设计

叉车应用的逆变器由 24 V 至 120 V 之间的直流电压供电，可提供高达 900 ARMS 电机相电流。通常，每个生产商都有一个平台方法，并销售按电...

2023-10-18 标签：逆变器微处理器电机驱动 1514 0

基于氮化镓的高频图腾柱PFC优化设计

众所周知，氮化镓功率器件为电力电子系统提高频率运行，实现高功率密度和高效率带来可能。然而，在高频下需要对EMI性能进行评估以满足EMC法规（例如EN55...

2023-10-16 标签：衰减器氮化镓PFC电路 2338 0

氮化镓能实现多强大的性能

氮化镓（GaN）是电力电子行业的一个热门话题，因为它可以实现80Plus钛电源、3.8 kW/L电动汽车（EV）车载充电器和电动汽车（EV）充电站等设计...

2023-10-13 标签：芯片驱动器FET 725 0

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势

设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有...

2023-10-12 标签：SiC氮化镓电子开关 2424 1

基于Cl2/BCl3电感偶联等离子体的氮化镓干蚀特性

氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化...

2023-10-12 标签：电感氮化镓蚀刻 508 0

碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）应用差异在哪里？

SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺，WBG 设备显示出以下优点：

2023-10-09 标签：晶体管SiC氮化镓 4131 1