氮化镓

贴片Y电容有哪些规格可供选择？

我们以前使用的Y电容主要是插件形式的，这几年技术进步很快，已经有性能很不错的贴片式Y电容出现，比如科雅JK-ET系列的塑封贴片式Y安规电容器，已经被大量...

2023-08-23 标签：电容器封装氮化镓 926 0

氮化镓技术发展现状分析

GaN器件的功率密度是砷化镓(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能够提供更宽的带宽，更高的放大器增益和更高的效率,这是由于器件外围更小。

2023-08-21 标签：放大器导通电阻氮化镓 491 0

什么是第三代半导体技术 碳化硅的产业结构分析

第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三代半导体研究主要是集中在...

2023-08-11 标签：氮化镓砷化镓碳化硅 1172 0

几种led衬底的主要特性对比 氮化镓同质外延的难处

GaN半导体产业链各环节为：衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中，衬底是整个产业链的基础。 作为衬底，GaN自然是最适合用来作为GaN外延...

2023-08-10 标签：led功率器件氮化镓 1728 0

GaN与SiC功率器件的特点 GaN和SiC的技术挑战

　SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为...

2023-08-09 标签：驱动器SiC氮化镓 1063 0

衬底工程对氮化物LED的影响研究

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业...

2023-08-08 标签：led激光器发光二极管 379 0

氮化镓和碳化硅谁将赢得宽带隙之战？

氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位，它们将减少数十亿吨温室气体排放。

2023-08-07 标签：led照明充电器氮化镓 1425 0

罗姆的氮化镓解决方案优势及路线图

氮化镓（GaN）是一种第三代半导体材料，与硅相比，它的禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度都大大优于硅，尤其在高频和高速开关状态下。由于其出色的电子移动性、...

2023-08-02 标签：电磁干扰氮化镓GaN 755 0

高效氮化镓电源设计方案 GaN在基于图腾柱PFC的电源设计中实现高效率

氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，...

2023-08-01 标签：电源整流器德州仪器 2183 0

慧能泰USB PD3.1快充方案汇总

2021年5月份，USB-IF协会正式发布了USB PD3.1快充标准，将最大充电功率提升至240W，同时新增28V、36V、48V三组固定输出电压档位...

2023-07-31 标签：充电器usb氮化镓 819 0

PI氮化镓的质量与可靠性介绍

氮化镓(GaN) 是一种宽禁带的直接带隙半导体，它有着很宽的直接带隙，很高的击穿场强，很高的热导率和非常好的物理、化学稳定性。正因其各方面都有着非常好的...

2023-07-27 标签：氮化镓半导体芯片GaN技术 1644 0

浅谈雷达技术的几个发展趋势

氮化镓（GaN）被认为是自硅以来影响最大的半导体创新产品，该材料能够在比传统半导体材料高得多的电压下工作。更高的电压意味着更高的效率，因此基于GaN的R...

2023-07-27 标签：传感器fpga氮化镓 1298 0

雷达的常见分类方法及发展趋势

GaN技术可以提高雷达的性能和适用性，但也需要更多的测试和优化，在雷达中的应用有以下优势和劣势： 优势： GaN提供更高的功率水平和更强的鲁棒性，可以提...

2023-07-10 标签：氮化镓GaN 742 0