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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。
切割出片数量方面，以2英寸、5mm的氮化镓晶锭为例，在切割指定厚度为400微米的衬底时，KABRA工艺可切11片，相比之下出片数量增加了37.5%。
到2030年，10类关键核心产品可靠性水平达到国际先进水平，可靠性标准引领作用充分彰显，培育一批可靠性公共服务机构和可靠性专业人才，我国制造业可靠性整体...
GaN开始为人所知是在光电LED市场，广为人知则是在功率半导体的消费电子快充市场。但实际上，GaN最初在功率半导体领域的目标据说是新能源汽车市场，而非消...
作为电力电子领域的核心技术之一，基于GaN的电能转换技术在消费电子、数据中心等领域有广泛应用，这对提高电能的高效利用及实现节能减排起着关键作用。
三菱电机开发出首款可覆盖3400MHz频段的氮化镓(GaN)功率放大器
News Releases 三菱电机采用单个GaN功率放大器实现4G、5G及Beyond 5G/6G通信系统宽带运行 将有助于实现无线电单元共享和基站节...
拓尔微电子自有品牌65W 2C1A氮化镓快充，内置协议芯片和降压转换器均为自家解决方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多种快速充电...
45W氮化镓快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因为使用了合封氮化镓芯片，所以电路设计很简洁，降低设计和加工成本，整套方案性价比不错，且各输入输出电压和各个负载段都拥有极佳的效率，峰值效率高达93.6...
作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地...
目前，许多企业在SiC MOSFET的批量化制造生产方面遇到了难题，其中如何降低SiC/SiO₂界面缺陷是最令人头疼的问题。
iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势
大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSF...
智融科技是国内较早进入高集成移动电源快充SOC芯片设计领域的公司之一，所推出的移动电源芯片具有接口支持多，协议支持全面，内部集成开关管等控制逻辑，支持数...
氮化镓元件一个很大的优势在于它极快的开关速度，它的栅极电容和输出电容比硅基MOSFET小的多，同时由于没有体二极管pn结，因此在硬开关中，没有相关的反向...
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）...
工程师两难之氮化镓GaN还是碳化硅SiC？到底该pick谁？
作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为...
第三代半导体（氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和发展推动了功率器件尤其是半导体器件不断走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前进，对封装基板...
一种是通过生长碳化硅同质外延，下游用于新能源汽车、光伏、工控、轨交等功率领域的导电型衬底，外延层上制造各类功率器件； 另一种是通过生长氮化镓异质外延...
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