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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相...
随着越来越多的中国设备企业在欧美地区设立分部或基地，国产锂电化成分容设备在海外市场渗透率将上升。
氮化镓（GaN）晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命，因此亟需开发有效的散热方法。
2023年，半导体市场的逆风周期仍未过去，企业收并购的脚步却不曾停歇。根据公开的信息，《中国电子报》记者梳理了23桩半导体领域的国际收并购案例，发现20...
近日，国星光电作为A级单位参编发布的《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》和《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》在行家说2023碳化硅&...
氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMTs)因其优异的大功率高频性能在大功率射频器件领域具有广阔的应用前景。
霍尔元件的工作原理及其在低速测量中的应用 霍尔元件是一种常用的物理传感器，可以测量磁场的强度和方向。它是通过霍尔效应来工作的，霍尔效应是指在导电材料中...
高功率快充在近几年成为了充电市场的当红炸子鸡。前段时间小米推出的新款氮化镓快速充电器更是引爆了快充小型化的潮流。 通过选用 高功率体积小的氮化镓芯片，搭...
2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽...
在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。
据悉，本项目计划在2025年实现竣工并投入运营。它是省级重点项目，旨在建立高端的化合物半导体光电子研发制造平台，形成涵盖氮化镓、砷化镓、磷化铟等多种材料...
先前，Nothing Phone凭借着透明后盖机身+LED灯带设计，引起广泛热议吸引了不少的热度。
当前各种氮化镓技术正在加速向200mm过渡，以期降低生产成本，使氮化镓宽禁带功率半导体技术在混合型和全电动汽车、消费电子产品、智能手机以及其他产品的制造...
GaN和相关合金由于其优异的特性以及大的带隙、高的击穿电场和高的电子饱和速度而成为有吸引力的材料之一，与优化工艺过程相关的成熟材料是有源/无源射频光电子...
据晶湛半导体消息，晶湛半导体业界公认的硅氮化镓（e -on-si）外延技术开拓者程凯博士将于2012年3月回国创业。国际先进的氮化镓外延材料开发和产业化基地
第三代半导体，具有宽禁带、高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、良好的化学稳定性等特点，被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件...
氮化镓具有优异的材料特性，例如宽带隙、高击穿场强和高功率密度等。氮化镓器件在高频率、高效率、高功率等应用中具有广阔的应用前景。
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