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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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功率半导体商纳微半导体明天发布2023年第三季度财务业绩召开电话会议
纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)将于美东时间2023年11月9日星期四股市收市后,公布2023年第三季度财务业绩。纳微半导体管理层将召开电...
氮化镓是一种宽带隙半导体材料,具有高电子迁移率、高耐压、高频率等特性。相比传统的硅材料,氮化镓材料的带隙宽度更大,能够承受更高的电压和温度,同时具有更高...
GaN的驱动电路有哪些挑战?怎么在技术上各个突破?GaN驱动电路有哪些设计技巧? GaN(氮化镓)是一种新型的半导体材料,相比传统的硅材料,具有更高的电...
应用于新一代电力电子的GaN相比于传统的Silicon有何优势?
GaN为何物?应用于新一代电力电子的GaN相比于传统的Silicon有何优势? GaN, 全名氮化镓(Gallium Nitride),是一种半导体材料...
南海区科学技术局领导莅临国星半导体调研LED芯片、功率器件用GaN芯片
为提高企业创新能力,为南海区实现产业高质量发展提供有力支撑,11月2日下午,南海区科学技术局局长薛佩华,科技规划和监督股股长熊惠芬,科技成果转化股股...
纳微GaNFast氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用
从三星S22到S23,下一代GaNFast技术持续在超便携、超快充的手机市场中取代传统硅功率芯片 加利福尼亚托伦斯2023年10月31日讯 — 纳微半导...
纳微GaNFast™氮化镓功率芯片获三星旗舰智能手机Galaxy S23采用
从三星S22到S23,下一代GaNFast™技术持续在超便携、超快充的手机市场中取代传统硅功率芯片
誉鸿锦半导体媒体开放日,现场见证Super IDM产业效率革命
誉鸿锦半导体在10月27日举办“媒体开放日”活动,就两周前行业发布会上提出的”Super IDM“做了现场产线展示和上下游产业链企业详解。多家半导体行业...
Power Integrations发布全球电压最高的单开关氮化镓电源IC
新型PowiGaN开关为工业应用提供了巨大的裕量,在具有挑战性的电网环境中尤为重要。 Power Integrations发布了全球电压最高的单开关氮化...
基于氮化镓和平面磁性等最新电力电子技术,新型电源可为工业应用节省高达58%的电路板空间。 COSEL 的 TE 系列是用于工业应用的新一代高度紧凑型电源...
虽然氮化镓的HEMT器件相对碳化硅来说起步晚了点,但是现在氮化镓的HEMT器件的势头非常迅猛,所以对于氮化镓器件的生产厂家来说,评测氮化镓器件的紧迫性也...
氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,其运行速度比旧式慢速硅(Si)技术加快了二十倍,并且能够实现高出三倍的功率,用于尖端快速充电器产品时,可以实现远远超...
Power Integrations发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC
Power Integrations 近日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN开关技术。InnoS...
Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC
ECCE 2023 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布全球额定...
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GaN氮化镓比硅更适用于高频功率器件。可以显著降低功率损耗和散热负载,在体积和功率密度方面具有明显的优势。用于逆变器、稳压器、变压器、无线充电等领域,可...
随着科技的不断进步,电力电子技术也在飞速发展。其中,氮化镓(GaN)芯片作为一种新型的电力电子器件,因其具有高效能、高速、高温等优点,已经开始在各个领域...
氮化镓芯片的选用要从实际应用出发,结合实际使用场景,选择最合适的氮化镓芯片,以达到最佳的性能和效果。明确应用场景。首先要明确使用的具体场景,如音频、视频...
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