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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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PI的PowiGaN技术与同行所使用的其他氮化镓技术，在生产及可靠性管控方面也有所不同。他们的开发工作涵盖了产品制造和设计环节的各个方面，从外延生长到晶...
西安电子科技大学表示，该项目竣工后，将具备6至8英寸氮化镓晶片生长、工程准备、密封测试等整个工程的研发和技术服务能力。接着革新中心是第三代半导体技术公共...
86面板墙插是我国普通家庭用电最常见的一种电力接口，当第三代半导体氮化镓功率器件遇上86面板墙插，会带来怎样的新惊喜呢？
氮化镓充电器为什么喜欢用贴片Y电容？ 氮化镓充电器常用贴片Y电容，主要是因为它具有以下几个优点： 1. 体积小 贴片Y电容的尺寸较小，体积小巧，可以方...
随着全球进入物联网、5G、绿色能源和电动汽车时代，能够充分展现高电压、高温和高频能力、满足当前主流应用需求的宽禁带半导体高能量转换效率半导体材料开始...
当今开关电源设计中的五大问题： （1）高效率，（2）高功率密度，（3）低待机功耗，（4）高可靠性，（5）低成本。随着PD和适配器行业的发展，需要相同或...
大功率器件氮化镓芯片系列产品KT65C1R070D、KT65C1R120D
Keep Tops继年初推出KT65C1R200D 等氮化镓功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化镓功率芯片，K...
如何选择性价比高的氮化镓芯片？采用KT65C1R200D产品
选择氮化镓芯片时，根据应用的需求，确定所需的性能指标，包括功耗、频率、工作温度范围等。不同型号的氮化镓芯片有不同的性能特点，需要根据具体的应用场景选择合...
氮化镓芯片在快充技术中扮演着重要的角色，氮化镓芯片可以作为控制器和管理器，监测和调整充电电流、电压和充电模式，确保快充过程的安全和稳定。它可以精确控制充...
氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料，整体发展较晚，渗透率较低。随着半导体化合物的稳定发展，第三代半导体具有高穿透电场、高导热率、高电子迁移率、高操作温度...
GaN（KT65C1R200D）具有高带隙、高饱和电子迁移速度、高热导率等特点。因此，GaN比Si更适合于大功率和高频功率器件。具有体积小、散热容易、损...
长电科技加速扩充中大功率器件成品制造产能，面向第三代半导体市场解决方案营收有望大幅增长
新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创...
GaN行业新标杆：比业界最佳Si MOSFET效率高2%，兼容所有驱动器
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）为了实现“双碳”（“碳达峰”和“碳中和”）目标，全球主要国家和地区在环保法规上持续收紧，给消费、汽车、工业和能源等重点领域...
对于近几年的电子产品来说，随着充电技术的普及，快速充电技术在各种电子设备上得到了普及。我们经常在智能手机上看到40W快充、65W快充等字样。充电环节中最...
与等效硅基解决方案相比，氮化镓基HEMT的开关更快、热导率更高和导通电阻更低，因此在电路中采用氮化镓晶体管和集成电路，可提高效率、缩小尺寸并降低各种电源...
从产能来看，湖南三安现有SiC产能15,000片/月，较2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化镓）产能2,000片/...
氮化镓是一种无机物质，化学式为GaN，是氮和镓的化合物，是一种具有直接带隙的半导体。自1990年起常用于发光二极管。这种化合物的结构与纤锌矿相似，硬度非...
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型...
氮化镓主要用于LED(发光二极管)、微电子(微波功率和电力电子器件)、场效电晶体(MOSFET)
QORVO的QPA4246D Q波段高功率MMIC放大器概述
QORVO的QPA4246D是款高功率MMIC放大器，选用Qorvo制造的0.15μm碳化硅基氮化镓(QGaN15)制造技术。QPA4246D对于37....
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