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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路
因此,VisIC Technologies 已经证明其 D³GaN(直接驱动耗尽型氮化镓)半导体技术非常适合最具挑战性的大功率汽车应用。快速开关应用中需...
氮化镓属于第三代半导体材料,相对硅而言,氮化镓间隙更宽,导电性更好,将普通充电器替换为氮化镓充电器,充电的效率更高。
氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
硅基氮化镓是第三代半导体化合材料,有着能量密度高、可靠性高的优点,能够代替很多传统的硅材料,晶圆可以做得很大,晶圆的长度可以拉长至2米。 硅基氮化镓器件...
氮化镓(GaN)作为现在重要的第三代半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,能够...
USB PD3.1 能够迅速商业化,离不开苹果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月苹果发布的16 英寸MacBook Pro,成为全球首款支持US...
氮化镓(GaN)是一种直接带隙半导体,宽带隙为3.4 eV(电子伏特),比砷化镓(GaAs)宽2.4倍,比硅宽3倍。具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子...
目前纳微在半桥氮化镓功率芯片方向上的专利已授权76件,除去世界知识产权局WO的8件PCT专利之外,其授权率高达约80%,目前仅有3件专利处于失效状态。
第三代半导体具有较高的热导率、电子饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等,适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件,可用于卫星、汽车、雷达、工业、...
氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结...
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要...
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被称为“宽带隙半导体”(WBG)。在带隙宽度中,硅为1.1eV,SiC为3.3eV,GaN为3.4eV,因此宽带隙...
中国氮化镓芯片市场占据全球约 %的市场份额,为全球最主要的消费市场之一,且增速高于全球。2021年市场规模约 亿元,2017-2021年年复合增长率约为 %。
氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一,氮化镓本身是第三代的半导体材料,许多特性都比传统硅基半导体更强。
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