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标签 > 氮化镓

氮化镓

氮化镓

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氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。

文章:1451 浏览:116439 帖子:76

氮化镓资讯

VisIC Technologies为大功率氮化镓牵引逆变器铺平了道路

因此,VisIC Technologies 已经证明其 D³GaN(直接驱动耗尽型氮化镓)半导体技术非常适合最具挑战性的大功率汽车应用。快速开关应用中需...

2023-02-17 标签:半导体大功率氮化镓 935 0

氮化镓是什么半导体材料 氮化镓充电器的优缺点

氮化镓属于第三代半导体材料,相对硅而言,氮化镓间隙更宽,导电性更好,将普通充电器替换为氮化镓充电器,充电的效率更高。

2023-02-14 标签:充电器半导体材料氮化镓 7424 0

浅谈氮化镓半导体产业链和相关企业

氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。

2023-02-14 标签:氮化镓发光器件功率晶体管 675 0

碳化硅基氮化镓和硅基氮化镓的区别在哪里?

硅基氮化镓是第三代半导体化合材料,有着能量密度高、可靠性高的优点,能够代替很多传统的硅材料,晶圆可以做得很大,晶圆的长度可以拉长至2米。 硅基氮化镓器件...

2023-02-12 标签:射频氮化镓碳化硅 2079 0

氮化镓对新能源汽车有什么影响

氮化镓(GaN)作为现在重要的第三代半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,能够...

2023-02-10 标签:新能源氮化镓电池 986 0

氮化镓行业发展前景如何?

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氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓:碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势,适用于5G基站、卫星、雷达等领域;硅基氮化...

2023-02-10 标签:氮化镓碳化硅5G基站 3615 0

南芯科技推出PD3.1 140W单口/多口快充解决方案

USB PD3.1 能够迅速商业化,离不开苹果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月苹果发布的16 英寸MacBook Pro,成为全球首款支持US...

2023-02-09 标签:usb氮化镓 2570 0

氮化镓在电力电子领域的意义

氮化镓在电力电子领域的意义

许多由氮化镓(也称为GaN)制成的的东西正在电力电子领域发生变化。今天,您可以购买带有足够电量的小型USB-C充电器,它可以同时为您的笔记本电脑、手机和...

2023-02-08 标签:氮化镓GaNUSB-C 886 0

氮化镓半导体技术制造

氮化镓半导体技术制造

氮化镓(GaN)主要是指一种由人工合成的半导体材料,是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成...

2023-02-07 标签:芯片设计半导体材料氮化镓 1614 0

硅基氮化镓技术成熟吗 硅基氮化镓用途及优缺点

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硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术,硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中,由于氮化镓薄膜直接生长...

2023-02-06 标签:半导体技术氮化镓硅基氮化镓技术 3482 0

什么是硅基氮化镓 氮化镓和碳化硅的区别

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 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中,由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上,可以利用现有硅基半导体制造基础设施...

2023-02-06 标签:氮化镓半导体制造碳化硅 5040 0

氮化镓前景怎么样啊 氮化镓用途有哪些方面

氮化镓(GaN)是一种直接带隙半导体,宽带隙为3.4 eV(电子伏特),比砷化镓(GaAs)宽2.4倍,比硅宽3倍。具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子...

2023-02-06 标签:功率器件氮化镓射频器件 3060 0

纳微关于半桥氮化镓功率芯片的专利整体概况

目前纳微在半桥氮化镓功率芯片方向上的专利已授权76件,除去世界知识产权局WO的8件PCT专利之外,其授权率高达约80%,目前仅有3件专利处于失效状态。

2023-02-06 标签:氮化镓功率芯片 692 0

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  第三代半导体具有较高的热导率、电子饱和率、击穿电场、带隙宽度、抗辐射能力等,适用于制造高温、高频、高功率、抗辐射器件,可用于卫星、汽车、雷达、工业、...

2023-02-05 标签:电源半导体氮化镓 1.8万 0

氮化镓对比普通充电器有哪些优势

氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结...

2023-02-05 标签:半导体发光二极管激光二极管 2079 0

氮化镓的性质与稳定性以及应用领域

氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要...

2023-02-05 标签:半导体材料氮化镓宽禁带 1928 0

非极性氮化镓基半导体研究

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生长在c面生长表面上的c面氮化镓基半导体层由于自发极化和压电极化而产生内电场,这降低了辐射复合率。为了防止这样的极化现象,正在进行对非极性或半极性氮化镓...

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碳化硅与氮化镓器件的特点差异

  碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被称为“宽带隙半导体”(WBG)。在带隙宽度中,硅为1.1eV,SiC为3.3eV,GaN为3.4eV,因此宽带隙...

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氮化镓芯片市场份额分析 氮化镓(GaN)半导体器件分类

中国氮化镓芯片市场占据全球约 %的市场份额,为全球最主要的消费市场之一,且增速高于全球。2021年市场规模约 亿元,2017-2021年年复合增长率约为 %。

2023-02-05 标签:功率器件氮化镓 4233 0

氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片国内三巨头

氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一,氮化镓本身是第三代的半导体材料,许多特性都比传统硅基半导体更强。

2023-02-05 标签:功率器件氮化镓开关器件 2.1万 0

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