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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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几十年来,硅主宰了晶体管世界。但这正在改变。由两种或三种材料组成的复合半导体已经开发出来,具有独特的优势和优越的财产。例如,利用化合物半导体,开发了...
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标 日前,高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc...
氮化镓工艺发展现状 氮化镓是当前发展最成款的竞禁带半导体材料,世界各国对氮化镓的研究重视,美欧日等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划。氮化镓因具有很大...
2023-02-03 标签:氮化镓 1311 0
氮化镓用途和性质 第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓(GaN)和碳化...
2023-02-03 标签:氮化镓 2274 0
氮化镓前景怎么样 氮化镓产业概述 1、产业地位 随着半导体化合物持续发展,相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体,第三代半导体具有高击穿电场、高热导...
2023-02-03 标签:氮化镓 1014 0
什么是氮化镓技术 氮化镓(GaN:Gallium Nitride)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族...
2023-02-03 标签:氮化镓 2791 0
麦科信OIP系列光隔离探头应用场景之——助力氮化镓(GaN)原厂FAE解决客户问题
作为功率半导体厂商,为下游客户提供典型应用方案似乎成行业内约定俗成的事。也就是说,作为半导体原厂不仅要设计好芯片,还要亲自设计和验证很多应用方案供下游客...
氮化镓(GaN)功率器件在几个关键性能指标上比硅(Si)具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场,能实现更薄的漂移层,同时在较高的击穿电...
本实验通过以自主研发的由c轴偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC衬底作为籽晶和扩径生长的起始点,采用物理气相传输(physical...
氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.4eV,对应截至波长365nm,对可见光无响应,克服了硅基紫外传感器对可见光有强烈响应,且紫外灵...
SGM48520 是一款单通道低边氮化镓(GaN)晶体管驱动器,独立可配置的开通和关断驱动通道,具有最大 6A 拉电流和 4A 灌电流的输出能力。芯片集...
近些年,轻量化、低成本和小型化的曲率传感器在呼吸监测、关节角度评估和运动频率测量等人体运动监测领域广受关注。尤其是基于光纤的曲率传感器,因其成本低、耐腐...
据了解,市场上的65W快充产品可能的BOM表有电源控制芯片、升降压转换器、快充协议芯片、变压器、光耦、二极管、三极管、MOS管、整流桥、电阻、电感、电容...
全球继电器销售额呈现整体增长趋势,主要得益于汽车、家用电器、工业控制等传统下游市场稳定增长,以及新能源、人工智能(AI)、智能制造等新兴产业的快速发...
与硅相比,SiC和GaN(不仅作为宽带隙半导体,而且作为材料本身)在品质因数(εμeEc3)方面显示出其出色的性能水平:SiC高440倍,GaN高1130倍。
为了提高采用率,电动汽车必须提供安全性和便利性,在这种情况下,这主要与提高续航效率、更好的充电基础设施和更快的充电时间有关。硅器件不太可能达到所需的水平...
因为这两个充电器呢都是PFC+准谐振反激式的电源架构,因此我们可以对应着相同功能部分来对比。先看一些被动元器件,像保险丝,NTC浪涌抑制电阻,安规电容,...
Ganvix与BluGlass合作开发基于GaN的绿光VCSEL
与此同时,总部位于澳大利亚的BluGlass正在开发一种称为远程等离子体化学气相沉积(RPCVD)的新型沉积技术,其不同于金属有机化学气相沉积(MOCV...
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