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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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传统上，半导体生产中最常用的材料是硅 (Si)，因为它的资源丰富且价格实惠。然而，半导体制造商可以使用许多其他材料。此外，它们中的大多数都提供额外的好处...
氮化镓是未来节能电动汽车和 5G 网络的关键组成部分。Hexagem是一家位于隆德大学的初创公司，正在瑞典研究机构Rise 测试平台 ProNano开发...
碳化硅和氮化镓等 宽带隙 功率半导体可减小组件尺寸、提高效率并改善混合动力和全电动汽车的性能。 现在越来越多的汽车制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...
在设计基于氮化镓的转换器七年后，我们可以肯定地说，从硅 MOSFET 到 GaN 晶体管的转换是一个革命性事件，其规模可与 70 年代后期的功率 MOS...
氮化镓已成为事实上的第三代半导体材料。然而，以您需要的质量和所需的热阻制造 GaN 晶圆是晶圆厂仍在努力克服的挑战。
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球电源产品和电动...
2022-07-29 标签：适配器氮化镓Transphorm 712 0
“全氮化镓”氮化镓充电系列有七个新产品，包括四个充电器、两个移动电源和一个插座，属于“全氮化镓”氮化镓充电系列，进一步满足消费者多样化的充电需求。
不久前，SiC和GaN器件的应用还被认为是困难的，但到了2018年，这些技术的优势开始被应用到现实生活中。这项新技术成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...
军用、航空系统从 GaN 和 SiC 功率器件中获得巨大提升
现在，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的宽带隙 (WBG) 半导体材料满足了军事和航空航天系统对更高功率密度和改进冷却的巨大需求，这让这两个行...
每个世纪在人类努力的各个领域都有其重大发明。对于电力电子而言，21世纪正在加速发现宽带隙。在过去的二十年里，研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验...
我们发现机架式电源对电信服务器具有一定的吸引力。即使在 5g 数据、数据场中，他们只需要越来越高的效率，所有输出范围内的效率都超过 90%，这让您进入钛...
氮化镓 （GaN） 继续其接管宇宙光谱的使命。GaN 的长期存在并未结束，它凭借其功率晶体管进入太空，这是支持极端太空任务的电源和射频应用的理想选择。E...
氮化镓 (GaN) 解决方案的集成将使您拥有更小、功率更大的外壳。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...
WiBotic是一家设计和制造无人机和机器人电池充电解决方案的公司，获得了投资者的信任。这家成立 4 年的初创公司已获得 570 万美元的 A 轮融资。...
由于其化学物理特性和高度可靠的制造工艺，硅 （Si） 多年来一直是制造无源和有源电子元件最常用的半导体。MOSFET 和 IGBT 技术的引入也使得 S...
本文将讨论三个贡献。它将通过对 N 相切换和分相切换方案进行比较并突出它们的优势来初步分析它们。对于小负载，N 相方案效率更高，而分相方案适用于较重的负...
下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二极管和耗尽型HEMT
纳米电子和数字技术研究与创新中心 Imec 在 2021 年国际电子器件会议（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通过在基于 p 型氮...
数据中心钛基准性能优于基于GaN的3kW AC/DC PSU
数据中心中数量庞大且不断增加的服务器，每个都配备中央处理单元 （CPU）、图形处理单元 （GPU） 和能够存储大量数据的内存，因此需要增加功率。为了支持...
实际上，似乎某些运营商正在考虑将收发器的数量减少到32T32R，甚至到16T16R，从而减小网络容量，以降低不断增加的功率需求。这在一定程度上是出于缓解...
充电头网已经拿到了智融推出的65W饼干氮化镓快充方案，这款方案采用了智融推出的初级主控芯片和降压协议芯片，为固定电压输出，搭配二次降压电路实现多口快充，...
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