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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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除了智能手机,通信设备、计算机、娱乐系统和家用电器等其他消费电子产品也对功率半导体市场产生了深远影响。
GaN器件是平面器件,与现有的Si半导体工艺兼容性强,因此更容易与其他半导体器件集成,进一步降低用户的使用门槛,并在不同应用领域展现它的属性和优势,很有...
在英语里,ready是很有意思的一个词,它在不同的语境下会有完全不同的意思。有一大屋子女儿时,ready的意思就是为做好准备而准备;而准备的时间绝不会少...
科雅超低音X2电容用于NITRIDE 65W超薄氮化镓充电器
深圳市誉鸿锦推出了一款NITRIDE品牌的饼干氮化镓充电器,充电器内置平面变压器和氮化镓器件、超薄X2安规电容,助力超薄设计,厚度仅为12.8mm。支持...
科锐目前正在美国纽约州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂将满足车规级标准和200mm工艺。
近日,Nexperia(安世半导体)凭借其在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)领域的杰出表现,荣获两项权威大奖:“SiC年度优秀产品奖”和“中国GaN功...
小米11携55W氮化镓充电器全球上市,纳微氮化镓技术走向世界
氮化镓(GaN)是第三代半导体技术,其运行速度比旧的慢速硅(Si)快20倍,并且可以以三分之一的体积和重量,实现高达三倍的功率或充电速度。
氮化镓芯片是一种新型的半导体材料,具有高频率、高功率、高温稳定性和低损耗等优点,被广泛应用于电力电子器件、光电子器件和微波器件等领域。随着科技的不断发展...
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术, 推动行业变革
2024年9月11日讯,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)今天宣布,已成功开发出全球首项300 mm氮化镓(GaN...
三星详细介绍了他们的2纳米制造工艺量产计划和性能水平,并宣布从2025年开始提供8英寸氮化镓(GaN)功率半导体代工服务,以满足人工智能技术的需求。这种...
氮化镓正取代硅,越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中 作为提供不间断连接的关键,许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密...
2023-04-19 标签:氮化镓 1023 0
你可以想象有这样一个世界,在这个世界中,你不需要建造这么多发电厂,来满足不断蹿升的数字需求。在这个世界中,工业、企业计算、电信和可再生能源系统的运行速度...
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