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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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韩国成功开发出一种能够替代氮化镓生产蓝光LED的新型LED材料 生产成本将更低
据BusinessKorea报道,韩国科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一个团队成功开发出一种能够替代氮化镓生产蓝光LED的新型LED材料。据悉,...
7月31日,是世界氮化镓日。在这个充满探索与突破的时代,氮化镓凭借其卓越的特质和广袤的应用维度,化作科技领域的一颗冉冉升起的新星。氮化镓的登场,给电子行...
大大减少体积及损耗!罗姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅来袭
为进一步满足消费电子和工业设备的电源提出的更高节能要求,以实现社会的可持续发展,罗姆开发出集650V GaN HEMT和栅极驱动用驱动器等于一体的Pow...
氮化镓(GaN)作为现在重要的第三代半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,能够...
每个世纪在人类努力的各个领域都有其重大发明。对于电力电子而言,21世纪正在加速发现宽带隙。在过去的二十年里,研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验...
Wolfspeed的CG2H80060D是种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,GaN具备优异的性能指标;CG2H800...
提高功率密度的路线图从降低传导动态损耗开始。氮化镓甚至比碳化硅更能显着降低动态损耗,从而降低整体损耗。因此,这是未来实现高功率密度的一种方法。 第二个参...
研究机构:“全球碳化硅、氮化镓功率半导体市场预计2022年将达到18.4亿美元,2025年会进一步增长到52.9亿美元”。那么什么是半导体?
Transphorm推出基于GaN的新型汽车/EV功率转换解决方案
Transphorm验证并实现了采用电桥配置的分立封装GaN器件的功率可达10千瓦,这进一步印证了GaN用于电动汽车转换器和变频器的令人兴奋的前景。
恩智浦庆祝射频技术创新60周年;并在国际微波研讨会上力推5G基站解决方案
火奴鲁鲁 – IMS 2017 – 2017年6月5日 –在6月4-9日举行的国际微波研讨会(International Microwave Sympo...
ASML是全球芯片制造设备领导厂商,其生产的XT400和XT860 的i-line和KrF经过升级,能够在硅基晶圆上制造氮化镓功率器件。
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞,助力氮化镓先进应用
未来已来,氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配...
TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET
德州仪器高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses表示:“工业和汽车应用日益需要在更小的空间内提供更多的电力,设计人员必须提供能在终端设备长久...
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