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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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随着市场对高功率高电压材料的需求增长,全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和...
氮化镓(GaN)衬底晶片实现国产 苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一
氮化镓单晶材料生长难度非常大,苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快,同样也是氮化物半导体...
近日,南京百识半导体股份有限公司(以下简称“百识”)第三代半导体项目正式落户南京浦口经济开发区(以下简称“浦口经开区”)。
目前,有30多家厂商申请了与GaN MMIC相关的专利,其中,东芝和科锐拥有最重要的专利组合。科锐在该领域拥有最强大的专利布局,但作为后来者的东芝是Ga...
因为这两个充电器呢都是PFC+准谐振反激式的电源架构,因此我们可以对应着相同功能部分来对比。先看一些被动元器件,像保险丝,NTC浪涌抑制电阻,安规电容,...
“现在正处于从LDMOS转到氮化镓的时间窗口,但只有三年。”能讯半导体总经理任勉表示,在氮化镓领域耕耘十二年,能讯半导体迎来关键时间节点,抓住5G基站建...
意法半导体王巧娣:集成驱动器的MasterGaN系列产品让GaN产品开发更简单
目前GaN产品主要应用在消费类产品当中,但在未来五年中,基于第三代半导体材料的电子器件将在激光雷达、5G通信、新能源汽车、特殊行业、人工智能、数据中心以...
苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成 达产后可实现产值20亿元
据新华社报道,近日,苏州能讯高能半导体有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成。
氮化镓属于第三代半导体材料,相对硅而言,氮化镓间隙更宽,导电性更好,将普通充电器替换为氮化镓充电器,充电的效率更高。
第三代半导体写入十四五 第三代半导体产业链与第三代半导体材料企业分析
第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半导体的产业园。 第二代材料是砷化镓(GaAs),为4G时代而生,目前的大部分通信设备的材料。 ...
氮化镓芯片是什么?氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片,它被广泛应用于高功率和高频率应用领域,如通信、雷达...
博方嘉芯氮化镓射频及功率器件产业化项目落户嘉兴科技城 总投资25亿元
11月7日,氮化镓(GaN)射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。区委书记、嘉兴科技城党工委书记朱苗,嘉兴科技城管委会副主任曹建弟,浙江博方嘉...
氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结...
来自产业链的调研数据显示,2019年,搭载USB Type-C接口的设备出货量预计将达到20亿台。其中USB Type-C在笔记本、台式电脑中的渗透率将...
德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用
德州仪器的GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性,来实现简化设计,达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能,为传统级联和独立的GaN F...
如果将PEC速率提高到175.5nm/min,则会导致表面变得粗糙。不过高速率的PEC技术可用于晶圆切割领域中。采用由90μm直径的圆点组成的50nm厚...
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