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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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国微纳半导体设备有限公司专注于第三代半导体氮化镓及碳化硅外延设备的研究、开发、生产和销售，以此一设备平台满足氮化镓与碳化硅两种半导体工艺需求。
德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已正式启动氮化镓（GaN）功率半导体的生产。这一举措，加上TI在德克萨斯州达拉斯已有的GaN制造业务，将使TI...
该发明的核心在于一种以氮化镓薄膜为主要材料的气体传感器的制备与运用。其制法包括：首先，通过对衬底进行镀膜工艺生成非晶氮化镓薄膜，然后将其加热至特定温度，...
9月，英飞凌宣布成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。12英寸晶圆与8英寸晶圆相比，每片能多生产2.3倍数量的芯片，技术和效...
在电力电子领域，纳微半导体凭借其卓越的GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体技术，已成为行业内的佼佼者。近日，该公司受邀参加6月11日...
长期以来，硅基器件一直是半导体领域的基准标准。从 2007 年开始，由于摩尔定律的失败，复合材料被开发出来，特别关注宽带隙半导体，因为它们利用了重要的...
台亚半导体于近日成功召开股东会，会议通过了将8英寸GaN（氮化镓）事业群分割给子公司冠亚半导体的计划。这是继两年前台亚将系统事业群划分给星亚视觉后，再次...
据晶湛半导体消息，晶湛半导体业界公认的硅氮化镓（e -on-si）外延技术开拓者程凯博士将于2012年3月回国创业。国际先进的氮化镓外延材料开发和产业化基地
GaN 提高了功率转换级的效率，使其成为制造高效电压转换器中硅的可行替代品。与硅相比，GaN 具有许多优势，包括更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量和更便...
氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料，整体发展较晚，渗透率较低。随着半导体化合物的稳定发展，第三代半导体具有高穿透电场、高导热率、高电子迁移率、高操作温度...
CES 创新奖（CES Innovation Awards）计划由消费技术协会（CTA）® 运营，是一项年度竞赛，旨在表彰 27 个消费技术产品类别中...
本次投资是瑞能半导从长远战略布局出发做出的投资决定，中电化合物在未来实际经营中可能面临宏观经济、行业政策、市场变化、经营管理等因素的不确定性风险。瑞能半...
KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封装的650V（200mΩ）氮化镓（GaN）。它是一款常关器件，将KeepTops最新的高压GaN HEMT...
Power Integrations正式推出使用有源钳位的数字可编程反激式氮化镓开关IC，是适用广泛、高效，而且尺寸极小的产品系列。 11月15日，作为...
基于PI InnoSwitch3-AQ INN3949CQ 之 60W 于800Vdc Bus with 50-1000Vdc Input方案
PowerIntegrations(NASDAQ：POWI)这家节能型功率转换领域的高压积体电路(IC)的领导厂商今日宣布为该公司的InnoSwitch...
Hanebeck曾提到英飞凌准备斥资数十亿欧元进行收购。整合是我们在过去几年中观察到的市场增长趋势。特别是在宽带隙半导体材料供应方面，特别是碳化硅 (SiC)。
近年来，氮化镓(GaN)技术以其在高功率、高效率和高频率应用中的显著优势，迅速成为半导体行业的焦点。尤其是在人工智能(AI)、智能汽车和新能源等新兴领域...
贸泽电子备货Qorvo的QPA1314T 功率放大器(PA)
贸泽备货的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的扩展频率范围，并在13.75至14.5GHz的标准范围内实现55W的饱和输出功率。
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