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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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Power Integrations推出具有里程碑意义的1250V氮化镓开关IC
ECCE 2023 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布全球额定...
应用于新一代电力电子的GaN相比于传统的Silicon有何优势?
GaN为何物?应用于新一代电力电子的GaN相比于传统的Silicon有何优势? GaN, 全名氮化镓(Gallium Nitride),是一种半导体材料...
全球继电器销售额呈现整体增长趋势,主要得益于汽车、家用电器、工业控制等传统下游市场稳定增长,以及新能源、人工智能(AI)、智能制造等新兴产业的快速发...
基于SP9677M、6520和10R07的65W氮化镓PD快充降低成本设计方案
在当今电子设备高度普及的时代,快充技术已经成为了许多消费者的必备选择。随着科技的不断进步,快充技术也在不断发展,其中65W氮化镓PD快充技术以其高效、安...
氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料,由于其独特的性质和广泛的应用,已经成为了微电子和光电子领域的重要材料之一。下面将详细介绍氮化镓的性质和用途。
Power Integrations荣获两项2023年电源行业配套品牌评选大奖
由世纪电源网主办的第二届年度电源行业配套品牌评选活动已经落下帷幕,经过激烈的竞争和严格的评审过程,所有奖项的评选工作现已完成。
氮化镓快充技术的普及,绝不仅仅是成品数量的增加而已,更重要的是,在芯片层面,氮化镓功率器件的供应商从最初的几家增加到十几家,产品类型多样,主控芯片品牌超...
碳化硅 (SiC) 与氮化镓 (GaN)应用 | 氮化硼高导热绝缘片
SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺,WBG设备显示出以下优点:1.宽带隙半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在带隙和...
Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odysse...
全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装(T...
Power Integrations宣布收购Odyssey Semiconductor的资产
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN...
早在2019年,做为3C配件市场发展风向标的香港电子展,我们就已经察觉到氮化镓快充发展的迅猛势头:2019年4月份春节展,8款氮化镓充电器新品参展;而到...
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
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