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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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火热的7月，火热的慕尼黑上海电子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，备受瞩目的"第三代半导体技术与产业链创新发...
氮化镓是一种由氮和镓结合而来的化合物，其中氮在元素周期表排序第7位，镓排序第31位，7月31日世界氮化镓日因此得名，同时也以英文名GaN Day传播到全...
氮化镓(GaN)功率半导体市场风起云涌,引领技术革新与产业升级
自去年以来，氮化镓（GaN）功率半导体市场持续升温，成为半导体行业的焦点。英飞凌、瑞萨电子、格芯等业界巨头纷纷通过并购GaN技术公司，加速在这一领域的布...
随着数据中心持续为网络搜索、视频通话和信息存储等服务提供支持，处理能力需要变得更快、更强大，电力需求也随之增长。在不增加体积或影响系统效率的情况下，如何...
关于氮化镓（GaN）衍生功率器件的可行性，人们一直在进行无休止的猜测和相当多的怀疑，但Dialog半导体认为它已经破解了它。基于GaN的功率器件具有...
近日，美国芯片大厂德州仪器（TI）宣布了一项重要进展。其位于日本会津的工厂已经正式投产基于氮化镓（GaN）的功率半导体。这一举措标志着德州仪器在氮化镓功...
GaN Systems 与上海安世博能源科技结盟 推进氮化镓进入中国电动车应用市场
【中国上海 – 2023 年8 月3 日】 氮化镓功率半导体全球领导厂商 GaN Systems 今宣布与上海安世博能源科技策略结盟，共同致力于加速并扩...
2023-08-03 标签：氮化镓 451 0
几十年来，硅主宰了晶体管世界。但这正在改变。由两种或三种材料组成的复合半导体已经开发出来，具有独特的优势和优越的财产。例如，利用化合物半导体，开发了...
随着科技的不断进步，电力电子领域正在发生着深刻的变化。在这个变化中，第三代半导体氮化镓（GaN）技术成为了焦点，其对于充电器的性能和效率都带来了革命性的...
有报道称，两年前，第三代半导体概念曾成为市场热点，不仅中国大陆股市大幅上涨，还推动台湾地区同类企业股价攀升。然而，近两年来，美台相关企业业绩表现与预期相去甚远。
GaN Systems 推出第四代氮化镓平台 突破能源效率瓶颈 加速应用版图拓展
重点摘要 GaN Systems第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Platform) 帮助全球客户在能源效率及尺寸微缩上突破瓶颈。 以业界领先的质...
2023-09-28 标签：氮化镓 444 0
氮化镓（GaN）是极具潜力的第三代半导体，广泛应用于功率器件、射频器件及光电器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻碍GaN基器件发展的关键限制，特别是在器...
氮化镓高电子迁移率晶体管CGH55030F1/CGH55030P1介绍
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是专门为高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；促...
长电科技加速扩充中大功率器件成品制造产能，面向第三代半导体市场解决方案营收有望大幅增长
新能源汽车和光伏,储能设施在全球加速普及,为第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业的落地提供了前所未有的契机。长电科技厚积薄发定位创...
两位IEEE Fellow授课│第三代半导体器件技术与应用高级研修班10月上海开班
来源：内容来自中国电源学会01组织机构主办单位：中国电源学会承办单位：中国电源学会科普工作委员会、英飞凌-上海海事大学功率器件应用培训和实验中心、上海临...
该文献进一步透露，实现这一器件所采用的氮化镓外延材料结构包括：1.5μm薄层缓冲层和AlGaN/GaN异质结结构。
MTC-PD65W1C-CTA1快充电源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
GaN/氮化镓作为第三代半导体材料经常被用在PD快充里面；氮化镓（GaN）拥有极高的稳定性，将GaN用于充电器的整流管后，能降低开关损耗和驱动损耗，提升...
GaN氮化镓比硅更适用于高频功率器件。可以显著降低功率损耗和散热负载，在体积和功率密度方面具有明显的优势。用于逆变器、稳压器、变压器、无线充电等领域，可...
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