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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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车规级eGaN®FET使得激光雷达系统看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠
宜普电源转换公司(EPC)进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 再多两个产品成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。
过去一些年,功率电子行业的工程师一直处于一个非常尴尬的境地,一方面他们无法在现有空间内继续提高功率,但同时又不希望增大设备所需的空间。
Anker推出全球首款采用氮化镓材料的充电器 体积只比苹果万年5W充电器略大一些
氮化镓(GaN)被业界称为第三代半导体材料,应用范围非常广,包括半导体照明、激光器、射频等,而用在充电器上可在超小体积上实现大功率输出。
市场在引入新技术时,成本是需要考虑的关键因素之一,但目前成本不是GaN的优势。GaN器件的主要竞争者是硅基MOSFET,后者已经上市多年,提供非常具有竞...
Yole电力电子技术与市场分析师Ana Villamor与意法半导体功率RF和GaN产品部经理Filippo Di Giovanni会面,讨论意法半导体...
在多伦多一个飘雪的寒冷日子里。 我们几个人齐聚在本地一所大学位于地下的高级电力电子研究实验室中,进行一场头脑风暴。有点讽刺意味的是,话题始终围绕着热量,...
耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”的研制成功,使得聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的...
随着市场对高功率高电压材料的需求增长,全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和...
与硅或者其他三五价器件相比,氮化镓速度更快。GaN可以实现更高的功率密度。对于既定功率水平,GaN具有体积小的优势。有了更小的器件,就可以减小器件电容,...
“完美电源开关”的飘然而至,进行了超过2000万小时的设备可靠性测试
此外,2017年是电力电子行业振奋人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1,它规范了GaN的可靠性和质量认证流程、数据资料表、参数以及...
在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化开启了提高射频功率密度、节省空间和提高能效的大门,其批量生产水平的成本结构非常低,与LDMOS相当,远低于碳化硅基氮化镓。
Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 与 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一阶...
德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用
德州仪器的GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性,来实现简化设计,达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能,为传统级联和独立的GaN F...
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