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标签 > 氮化镓
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。
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英飞凌完成收购氮化镓系统公司 (GaN Systems),成为领先的氮化镓龙头企业
10 月 25 日,英飞凌科技股份公司今日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems,以下同)。这家总部位于加拿大渥太华的公司,为英飞凌带来了丰...
CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会),推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
诚邀您于 8 月 29 至 31 日莅临上海新国际博览中心参观 2G18 展位 英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...
纳微半导体宣布,其先进的GaNFast™氮化镓功率芯片已被Virtual Forest公司采纳,该公司是印度市场上消费类电器、流体运动和移动领域的佼佼者...
氮化镓是一种宽带隙半导体材料,具有高电子迁移率、高耐压、高频率等特性。相比传统的硅材料,氮化镓材料的带隙宽度更大,能够承受更高的电压和温度,同时具有更高...
GaN技术引领功率电子产业新风潮,预估2030年市场规模将突破43亿美元
随着全球对高效能电力解决方案的需求日益增加,氮化镓(GaN)技术正在成为功率电子产业的一大亮点。近期,英飞凌和德州仪器等行业巨头对GaN技术的投入不断加...
在数据中心、光伏逆变器、汽车、通信电源等市场,对产品功率密度、能效、开关频率、热管理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化镓因具备宽禁带、高频率、低...
CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”
英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...
据俄科院西伯利亚分院网站报道,该分院计算数学、数学地质物理所、半导体物理所会同德国保罗—德鲁德固态电子学研究所(柏林)的联合科研团队计算了激子(一种准粒...
PI的PowiGaN技术与同行所使用的其他氮化镓技术,在生产及可靠性管控方面也有所不同。他们的开发工作涵盖了产品制造和设计环节的各个方面,从外延生长到晶...
GaN晶体管的优点是什么?ST量产氮化镓器件PowerGaN 即将推出车规器件
如今,开发电子电力器件的难度不断飙升,如何在满足绿色低碳和和持续发展的要求下既不断提升效率和功率性能,同时又不断降低成本和缩减尺寸呢? 我们发现,氮化镓...
近日,日本功率器件大厂罗姆半导体(ROHM)宣布,将在氮化镓功率半导体领域深化与台积电的合作,其氮化镓产品将全面交由台积电代工生产。这一举措标志着氮化镓...
这不闪极!Retro 麦金塔20W氮化镓充电器套装仅49.9元
人们常说好看的皮囊千篇一律,这其实意味着大家审美的普遍性,美得越经典越经受得起考验。闪极Retro 麦金塔氮化镓系列充电器的设计也正是如此,它的创意来自...
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