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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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Transphorm与伟诠电子合作推出氮化镓系统级封装器件，支持多功率等级，为客户创造竞争优势
Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健...
2024-01-03 标签：氮化镓 286 0
引言氮化镓（GaN），作为一种具有独特物理和化学性质的半导体材料，近年来在电子领域大放异彩，其制成的氮化镓功率芯片在功率转换效率、开关速度及耐高温等方面...
近日，纳微半导体推出了全新一代高度集成的氮化镓功率芯片——GaNSlim™。这款芯片凭借卓越的集成度和出色的散热性能，在手机和笔记本电脑充电器、电视电源...
与等效硅基解决方案相比，氮化镓基HEMT的开关更快、热导率更高和导通电阻更低，因此在电路中采用氮化镓晶体管和集成电路，可提高效率、缩小尺寸并降低各种电源...
纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日宣布再次入选德勤北美高成长科技企业500强。全球不断增长的市场和客户对先进、高效、宽禁带氮化镓（GaN...
现在的充电器与几年前的充电器相比，体积上大幅缩减，而充电速度却实现了十几倍的飞跃式提升。这其中究竟隐藏着怎样的奥秘呢?
Transphorm氮化镓器件率先达到对电机驱动应用至关重要的抗短路稳健性里程碑
与安川电机公司合作取得的这项成果，充分利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 8 月 24 ...
从去年至今，我国氧化镓半导体制备技术已经屡获突破。从去年的2英寸衬底到6英寸衬底，再到最新的8英寸外延片，我国氧化镓半导体制备技术越来越成熟。
力德诺70W多口氮化镓充电器自带1.5米可拆卸电源线设计，作为桌面充电器方便日常使用不受空间限制。产品配有LED屏幕可以显示实时输出功率，方便了解设备的...
与传统硅相比，这些因素转化为许多好处，包括更小的体积、更快的速度、更高效和更可靠的运行能力。
近几年，随着手机等电子产品的普及，人们对于快速充电的需求越来越高。在这样的趋势下，爱美雅电子推出了一款性能卓越的65W氮化镓快充方案，其高效、安全、快速...
德州仪器（TI）（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓（GaN）的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，加上已有 GaN ...
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出InnoMux-2系列单级、独立...
德州仪器正式投产氮化镓功率半导体产品，展现自有制造能力新高度
德州仪器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本会津的工厂正式投产基于氮化镓(GaN)技术的功率半导体产品，此举标志着该公司在GaN半...
PI近日宣布推出1700V氮化镓(GaN)开关IC，这一技术突破有哪些亮点?它将如何影响高压氮化镓市场? 近日，Power Integrations(以...
泰克先进半导体实验室 远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件的潜力并未得到充分发挥，主要在消...
虽然氮化镓的HEMT器件相对碳化硅来说起步晚了点，但是现在氮化镓的HEMT器件的势头非常迅猛，所以对于氮化镓器件的生产厂家来说，评测氮化镓器件的紧迫性也...
骊微电子65w氮化镓充电器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降压芯片NDP1460PQB和PD协议芯片XPD7...
英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率
英飞凌近日宣布与总部位于加拿大AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供Coo...
氮化镓 (GaN) 的情况略有不同。这种材料的卖点之一是它可以在硅晶圆上作为外延生长，因此不需要 GaN 晶圆。该行业的许多公司目前都是无晶圆厂，这在一...
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