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浪涌

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浪涌也叫突波，顾名思义就是超出正常工作电压的瞬间过电压。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲。可能引起浪涌的原因有：重型设备、短路、电源切换或大型发动机。而含有浪涌阻绝装置的产品可以有效地吸收突发的巨大能量，以保护连接设备免于受损。

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浪涌技术

防静电和浪涌TVS layout设计要点

敏感部件可能会出现静电损坏风险。国际电工委员会IEC委员会定义了标准，该标准定义了四种严重等级，对应于四种电压等级，有两种放电、接触和空气类型。

2023-03-19 标签：电磁兼容 TVS layout 1323 0

压敏电阻的正确打开方式

压敏电阻(MOV)是以氧化锌(ZnO) 为主要成分的非线性电阻元件，该元件浪涌电流耐量及非线性系数非常大，在阀值电压以下时，电阻非常高，几乎没有电流流过...

2023-03-17 标签：MOV 压敏电阻浪涌 719 0

如何改善MOS管被ESD击穿的问题

大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具备防静电、防浪涌，ESD静电和浪涌无处不在，存在于任何的电子产品中，令人防不胜防。

2023-03-15 标签：电阻 ESD 静电 1015 0

ESD和浪涌的测试标准，测试方法

ESD和浪涌问题往往是基带工程师最头疼的问题，因为测试标准严苛，问题神出鬼没。特别是ESD问题，没有解决问题的标准路径，只能靠反复地构思方案并验证。

2023-03-14 标签：波形浪涌 TVS管 1.5万 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-浪涌抑制电路的电路板布局注意事项

关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极...

2023-02-09 标签：MOSFET 电路板 SiC 1121 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-负电压浪涌对策

本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误...

2023-02-09 标签：MOSFET 负电压 SiC 1105 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-正电压浪涌对策

本文的关键要点：通过采取措施防止栅极－源极间电压的正电压浪涌，来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能，则...

2023-02-09 标签：MOSFET 栅极 SiC 1023 0

SiC MOSFET：栅极-源极电压的浪涌抑制方法-浪涌抑制电路

在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。

2023-02-09 标签：MOSFET SiC 浪涌 1190 0

分享五种浪涌防护的方法

据估计，电子产品的故障有75%是由于瞬变和浪涌造成的。电压的瞬变和浪涌无处不在，电网、雷击、爆破，就连人在地毯上行走都会产生上万伏的静电感应电压，这些都...

2023-01-15 标签：电子产品浪涌浪涌防护 1648 0

Ameya360雷卯电子:防静电和浪涌TVS layout设计要点

刚看过了CES2023，雷卯的外贸伙伴们看了新的AR,VR,5G产品，新的电子产品更智能、更复杂，嵌入了脆弱和敏感的集成电路。这些设备的环境往往很恶劣，...

2023-01-13 标签：TVS Layout 浪涌 639 0

某产品GPS接口浪涌故障整改案例——单向和双向TVS的选择

某产品GPS天馈口，在进行共模3KA@8/20μs冲击电流测试时，正向和负向注入每次测试LDO芯片都会损坏，产品无法正常工作，实验不通过。

2022-10-25 标签：接口 TVS gps 4533 0

浪涌的基本概念

浪涌也叫突波，顾名思义就是超出正常工作电压的瞬间过电压。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲，。

2022-10-24 标签：电流浪涌配电系统 3455 0

对于浪涌抑制一般有哪些措施？

产生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一种上升速度高、持续时间短的尖峰脉冲。电网过压、开关打火、虬源反向、静电、电机/电源噪声等都是产生浪涌的因素。而浪涌保护...

2022-10-21 标签：浪涌浪涌保护器 4936 0

布局浪涌抑制电路板的注意事项

本文将介绍实际制作这种浪涌抑制电路时电路板布局方面的注意事项。

2022-03-29 标签：电路板浪涌电路板布局 3771 0

一文详解正电压浪涌的对策和效果

作为米勒钳位的替代方案，可以通过增加误导通抑制电容器来处理。本文将会通过示例来探讨正电压浪涌的对策和其效果。

2022-03-29 标签：栅极浪涌电压浪涌 2329 0

CEZ5V6齐纳二极管概述及应用场景

提及浪涌这个词不知道会激起多少电子工程师内心的恐惧与愤恨，特别是在新型电子产品第一版设计完善后做压力疲劳测试的时候极为容易受到浪涌的危害。

2022-03-28 标签：二极管封装浪涌 2199 0

ADI浪涌抑制器——为产品的可靠运行保驾护航

传统的过电压（OV）和过流（OC）保护系统往往包括：用于过滤低能量尖峰的电容器和电感、用于过电压保护的瞬态电压抑制器（TVS）、用于直流过流保护的保险丝...

2021-12-21 标签：MOSFET adi 浪涌 2562 0

面向ISO7637的12V车载电源浪涌防护方案

针对ISO7637对汽车电子设备在电源上的抗扰度要求，这里浪拓给出一个合理的12V电源系统方案。浪涌保护包括一个PPTC和TVS管，可以有效抑制类似于...

2020-11-18 标签：二极管 TVS 浪涌 3669 0

一文解析IEC61000-4-5标准浪涌抗扰度试验

不同的电子、电气产品标准对浪涌（冲击）抗扰度试验的要求是不同的，但这些标准关于浪涌（冲击）抗扰度试验大多都直接或间接引用GB/T17626.5-1999...

2020-10-27 标签：浪涌浪涌抗扰度 4.0万 0

如何选择数字隔离器

找到合适的设备并非难事。本文将逐步介绍选择数字隔离器的一些关键步骤，从而简化您的搜索。

2020-10-22 标签：德州仪器数字隔离器浪涌 1710 0

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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”

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