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标签 > 清洗

清洗

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清洗技术

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2022-04-18 标签:硅晶圆清洗 1101 0

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在半导体制造工序的硅晶圆的清洗中,RCA清洗法被很多企业使用。RCA清洗方法是清洗硅片的行业标准方法,其中清洗溶液的温度控制对于稳定的清洗性能很重要,但...

2022-04-15 标签:清洗 1066 0

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2022-04-13 标签:蚀刻清洗硅晶片 1042 0

用于光刻胶去除的单晶片清洗技术

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本文的目标是讨论一种新技术,它可以在保持竞争力的首席运营官的同时改善权衡。 将开发湿化学抗蚀剂去除溶液的能力与对工艺和工具要求的理解相结合,导致了用于光...

2022-05-07 标签:清洗单晶片 867 0

利用臭氧微泡清洗半导体晶片

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小气泡显示出与普通气泡不同的行为。普通气泡在水中急速浮起,在表面破裂消失。但是,如果成为直径小于50μm的气泡,则会慢慢浮起并缩小,最终在水中消失。在水...

2022-04-20 标签:半导体晶片清洗 851 0

外延沉积前原位工艺清洗的效果

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本文研究了外延沉积前原位工艺清洗的效果,该过程包括使用溶解的臭氧来去除晶片表面的有机物,此外,该过程是在原位进行的,没有像传统上那样将晶圆从工艺转移到冲...

2022-04-12 标签:工艺晶片清洗 831 0

EGEE、NMP和THFA的微粒去除和基底损伤性能

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在本报告中,我们华林科纳探讨了2-乙氧基乙醇(EGEE)、NMP和THFA在常规气溶胶喷雾清洁系统中的微粒去除和基底损伤性能。在300毫米和200毫米的...

2022-05-07 标签:晶片清洗微粒 799 0

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2022-05-18 标签:晶片清洗刻蚀 793 0

使用高频超声波的半导体单片清洗中的微粒子去除研究

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本文使用高频超声波的半导体单片清洗中的微粒子去除进行了研究。水中的超声波在波导管内传播时,根据波导管的内径形成平面波以外的波导管模式,此时,通过LDV测...

2022-04-14 标签:半导体超声波清洗 781 0

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本文简要综述了所提出的清洗机制。然后介绍了聚VA刷摩擦分析结果。在摩擦分析中,刷的粘弹性行为、平板的表面润湿性以及刷的变形是重要的。此外,我们还介绍了P...

2022-04-21 标签:PVA清洗 742 0

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2022-04-15 标签:纳米清洗颗粒 688 0

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本文利用CZ、FZ和EPI晶片,研究了湿式化学清洗过程对硅晶片表面微粒度的影响。结果表明,表面微粗糙度影响了氧化物的介电断裂~特性:随着硅基底的微粗糙度...

2022-04-14 标签:清洗硅晶片 675 0

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2022-04-14 标签:半导体蚀刻清洗 660 0

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本文研究了兆声功率、温度和时间的相互影响,在兆声功率和中高温下进行的稀释化学反应被证明对小颗粒再利用是非常有效的。数据显示,当在中等温度(例如45℃)下...

2022-04-19 标签:功率测量清洗 513 0

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退火后对结特性的剥离和清洁对于实现预期和一致的器件性能至关重要,发现光致抗蚀剂剥离和清洗会导致:结蚀刻、掺杂剂漂白和结氧化,植入条件可以增强这些效应,令...

2022-05-06 标签:蚀刻晶片清洗 480 0

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全接触洗涤被认为是去除晶圆表面污染的最佳有效清洁方法之一。为了使刷与晶片之间的小间隙最大限度地增加水动力阻力,在晶片上安装了压电传感器(圆片型)。为了研...

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本文将详细探讨清洗和纹理的相互作用,在清洁过程中使用的化学类型对平等有着深远的影响,并在纹理中产生不可预测的影响。

2022-04-18 标签:晶片清洗 459 0

一种新型的全化学晶片清洗技术

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本文介绍了新型的全化学晶片清洗技术,研究它们是否可以提供更低的水和化学消耗的能力,能否提供每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益以及考虑因素、环境、安全...

2022-04-21 标签:工艺晶片清洗 358 0

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