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标签 > 源极

源极

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源极技术

解析MOS管的三个引脚G、S、D都是什么及含义

G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。

2018-10-16 标签:MOS管栅极源极 11.3万 0

漏极和源极如何区分

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在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示),就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),...

2019-12-30 标签:源极漏极 10.9万 0

PMOS管的工作原理

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PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称:positive channel Metal Oxide Semiconductor...

2023-02-21 标签:MOS管工作原理源极 4.7万 0

源极跟随器的特点_源极跟随器的电路

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与双极型晶体管(三极管)的射极跟随器相比,源极跟随器的输出阻抗非常低,特别适合于电动机、扬声器等重负载(阻抗低的负载)的驱动,同时MOSFET普遍功率比...

2019-12-30 标签:跟随器源极 3.4万 1

场效应管的源极和漏极可以互换使用?

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三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要...

2019-06-19 标签:场效应管源极漏极 2.2万 0

MOS管的栅极G、源极S、漏极D的判定方法

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  MOS管有三个引脚,分别是,栅极G、源极S、漏极D,这三个脚,用于链接外部的电路。其中栅极G是控制引脚,通过改变引脚的电平,我们可以直接控制这个MO...

2023-02-27 标签:驱动器MOS管栅极 1.3万 0

MOS管参数解读

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极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏。

2023-09-24 标签:元器件MOS管栅极 1.2万 0

电路中VCC、VDD、VEE和VSS的区别

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画电路板的小伙伴可能经常遇到各种标号,今天就来分享一下电源相关标号的内容。

2023-05-25 标签:场效应管电路板电源电压 1.0万 0

如何判断NMOS管和PMOS管

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 MOS管的管脚有三个:源极S(source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain),但是实际工程应用中,经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的...

2023-02-28 标签:MOS管源极管脚 7084 1

MOS管源极和漏极是什么意思

MOS管,全称为Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),...

2024-07-23 标签:半导体MOS管源极 4627 0

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FET场效应晶体管扫盲

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2020-03-23 标签:晶体管FET源极 1.2万 0

MOSFET的电气特性(静态特性IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS)

当在漏极和源极短路的情况下在栅极和源极之间施加指定电压时产生的漏电流

2022-11-14 标签:电流栅极源极 7936 0

源极,什么是源极,源极是什么意思

源极,什么是源极,源极是什么意思 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的...

2010-02-26 标签:源极场效应晶体管 7645 0

通过驱动器源极引脚改善开关损耗-有驱动器源极引脚的封装

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通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・目前ROHM有驱动器源极引脚的封装包括TO-247-4L和TO-263-7L两种。

2023-02-09 标签:MOSFET驱动器封装 872 0

华为公开“半导体器件”专利:提升场效应晶体管电流驱动能力

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根据专利摘要,该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位...

2023-10-11 标签:晶体管源极半导体元件 858 0

桥式结构中的栅极-源极间电压的行为:导通时

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2023-12-05 标签:栅极源极功率开关器件 436 0

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