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标签 > 漏极
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开关管通常具有三个引脚,分别为G(Gate,门极)、D(Drain,漏极)和S(Source,源极)。这三个引脚在开关管中扮演着不同的角色,共同决定了开...
P沟道场效应管(P-channel Field-Effect Transistor,简称P-FET)的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性,它决定了...
线性稳压器(LDO)是一种广泛使用的电源管理器件,其主要功能是将输入电压转换为稳定的输出电压。LDO的工作原理是通过调整内部功率管的导通程度来实现电压转...
场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种常用的半导体器件,广泛应用于各种电子线路中。在实际应用中,我们经常需要对场效...
mosfet漏极外接二极管的作用 mosfet源极和漏极的区别
漏极外接二极管(Drain-Source Diode,简称D-S二极管)在MOSFET电路中起到了重要的作用,本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别...
美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MXT MV ...
MOS管的结构主要由三个区域组成:栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。其中,栅极和漏极都是金属电极,源极可以是金属或半导体材料。
对于恒定Vds,Vgs越大,则沟道中可移动的电子越多,沟道电阻就越小,ID就越大。当然这个Vgs大到一定值,电压再大,ID的变化也不会再有太大的变化了。...
在现代电子技术中,直流电机因其高效、可控和可靠的特性而被广泛应用于各种工业和消费产品中。MOS管因其高速开关特性和低导通电阻成为控制直流电机的理想选择。...
栅极源级漏极分别是什么?模拟电路中栅极源级漏极的工作原理是什么
源极简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电.栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。漏极在两个高掺杂的...
三菱电机上市漏极效率达70%的MOSFET新品RD01MUS2B
三菱电机将上市输出功率为1W的7.2V MOSFET新产品RD01MUS2B,适用于商用无线传呼机及特定小功率无线传呼机用功率放大器。新产品将于2011...
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