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标签 > 漏极
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场效应管的三个极相当于三级管的三个电极,G是控制极,相当于三级管的B极,电压控制DS的导通率(三极管是电流控制型,B极控制CE的导通能力)D级是漏极,相...
MOS管的结构主要由三个区域组成:栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。其中,栅极和漏极都是金属电极,源极可以是金属或半导体材料。
对于恒定Vds,Vgs越大,则沟道中可移动的电子越多,沟道电阻就越小,ID就越大。当然这个Vgs大到一定值,电压再大,ID的变化也不会再有太大的变化了。...
在N沟道MOSFET中,源极为P型区域,而在P沟道MOSFET中,源极为N型区域。在MOSFET的工作中,源极是控制栅极电场的参考点,它是连接到源极-漏...
mosfet漏极外接二极管的作用 mosfet源极和漏极的区别
漏极外接二极管(Drain-Source Diode,简称D-S二极管)在MOSFET电路中起到了重要的作用,本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别...
栅极源级漏极分别是什么?模拟电路中栅极源级漏极的工作原理是什么
源极简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电.栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。漏极在两个高掺杂的...
三菱电机上市漏极效率达70%的MOSFET新品RD01MUS2B
三菱电机将上市输出功率为1W的7.2V MOSFET新产品RD01MUS2B,适用于商用无线传呼机及特定小功率无线传呼机用功率放大器。新产品将于2011...
在现代电子技术中,直流电机因其高效、可控和可靠的特性而被广泛应用于各种工业和消费产品中。MOS管因其高速开关特性和低导通电阻成为控制直流电机的理想选择。...
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