漏极

开关管三个引脚和功能

开关管通常具有三个引脚，分别为G（Gate，门极）、D（Drain，漏极）和S（Source，源极）。这三个引脚在开关管中扮演着不同的角色，共同决定了开...

2024-10-25 标签：源极漏极引脚 484 0

P沟道场效应管的电流方向是什么

P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性，它决定了...

2024-09-23 标签：半导体场效应管漏极 539 0

ldo功率管工作在什么区

线性稳压器（LDO）是一种广泛使用的电源管理器件，其主要功能是将输入电压转换为稳定的输出电压。LDO的工作原理是通过调整内部功率管的导通程度来实现电压转...

2024-07-14 标签：ldo电源管理器漏极 1316 0

场效应管在线路板上如何测量好坏

场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于各种电子线路中。在实际应用中，我们经常需要对场效...

2024-07-14 标签：场效应管线路板漏极 564 0

mosfet漏极外接二极管的作用 mosfet源极和漏极的区别

漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSFET源极和漏极之间的区别...

2024-01-31 标签：二极管MOSFET场效应晶体管 1936 0

美格纳发布第8代150V MXT MV MOSFET

美格纳半导体公司 宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV ...

2023-10-12 标签：MOSFET场效应晶体管漏极 1160 0

MOS管的结构/工作原理/特性/应用

MOS管的结构主要由三个区域组成：栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）。其中，栅极和漏极都是金属电极，源极可以是金属或半导体材料。

2023-09-28 标签：传感器半导体MOS管 5835 0

MOS管的通断过程你都理解透了吗？

对于恒定Vds，Vgs越大，则沟道中可移动的电子越多，沟道电阻就越小，ID就越大。当然这个Vgs大到一定值，电压再大，ID的变化也不会再有太大的变化了。...

2023-03-25 标签：电阻MOS管漏极 4432 0

MOSFET的源极主要作用

在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，源极是控制栅极电场的参考点，它是连接到源极-漏...

2023-02-21 标签：MOSFET源极漏极 2761 0

场效应管的三个极图解_场效应管坏了会有什么现象

场效应管的三个极相当于三级管的三个电极，G是控制极，相当于三级管的B极，电压控制DS的导通率（三极管是电流控制型，B极控制CE的导通能力）D级是漏极，相...

2023-02-11 标签：场效应管电极漏极 8874 0

电池充电器的反向电压保护准则

在该电路中，MN1 连接在充电器/负载和电池端子之间连接的低侧。

2021-06-26 标签：MOSFET漏极反向电池 3185 0