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Infineon MOSFET 于switch power应用中软/硬切换建议

当电晶体开关时电压和电流出现重叠时，就会出现硬切换。这种重叠会造成能量损失，可透过提高di/dt和dv/dt将能量损失降至最低。然而，快速变化的di/d...

2023-11-18 标签：英飞凌 MOSFET Infineon 408 0

人工水晶品质确认

长晶方式：水热生长法未加工前原石（毛棒）加工后晶棒（精棒）水热法长晶方式存在一定缺陷1.水热法存在某些缺陷，影响Q值。2.高压釜在管控存在差异。3.矿石...

2023-05-10 标签：水晶头电晶体 972 0

美国普渡大学研究人员发现一种衍生自稀有元素碲的极薄二维材料，可大幅提升芯片电晶体运行效率

美国普渡大学研究人员发现一种衍生自稀有元素碲（tellurium）的极薄二维材料，可大幅提升芯片电晶体运行效率，进而提高电子设备（如手机、电脑）处理讯息...

2018-05-28 标签：半导体电晶体二维材料 1261 0

英国科学家设计新型电晶体可让可穿戴设备超低功耗运行

英国剑桥大学（Cambridge University）日前推出新的电晶体设计，可让穿戴式等装置利用周遭电晶体的电力作为能源供应来源并可在1伏特下运作且...

2016-11-10 标签：可穿戴电晶体 877 0

半导体FD-SOI制程的决胜点在14nm！

半导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28纳米以下之后的闸成本（gate cost）上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持...

2016-06-17 标签：半导体电晶体 FD-SOI制程 1585 0

FinFET教父预测：新电晶体点燃芯片产业未来

“不必担心‘摩尔定律’走到尽头，因为在整个半导体发展蓝图上还有许多好办法。”被誉为“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美国举行的“新思科技产品...

2016-05-11 标签：芯片晶体管电晶体 1386 0

2016会是碳纳米管电晶体年？

自从NEC研究人员饭岛澄男（Sumio Iijima ）在1991年首度发现碳奈米管（CNT）后，这方面的研究一直持续进展。他形容碳奈米管是继石墨稀、钻...

2015-12-03 标签：碳纳米管电晶体 1086 0

打破成本“桎梏” 半导体业积极追寻替代新技术

随着芯片制造的成本与复杂度不断提高，使得今年成为半导体产业整併以及寻找替代性技术创记录的一年。在日前于美国加州举行的IEEE S3S大会上，举会的工程师...

2014-11-04 标签：英飞凌 SOI 电晶体 922 0

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半导体芯片：在半导体片材上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片，常见的还包括砷化镓（砷化镓有毒，所以一些劣质电路板不要好奇分解它），锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态随机存取内存（D-RAM）市场占上风。
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