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相变内存

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　　相变内存的英文是“Phase-Change Memory”，简称“PCM”，是一种非易失性的内存产品。

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　　相变内存是下一代内存（闪存）技术，相变内存结合了DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性，被业界视为未来闪存和内存的替代品。

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新研究成果相变内存比传统DRAM快1000倍

下一代内存的读取速度会比现在快多少?来自美国斯坦福大学的研究人员认为，相变内存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是现在DRAM内存...

2016-08-18 标签：相变内存 1129 0

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