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标签 > 砷化镓
砷化镓(gallium arsenide)是一种无机化合物,化学式为GaAs,为黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,禁带宽度1.4电子伏。
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砷化镓芯片和硅基芯片的最大区别是:硅基芯片是进行物理刻蚀线路工艺(凹刻),可以5-100纳米工艺,而砷化镓芯片采取的工艺是多层化学堆砌线路(凸堆),线...
砷化镓芯片的制造工艺要求高,需要精确控制工艺参数,以保证芯片的质量;砷化镓芯片的制造过程中,由于砷化镓的比表面积较大,容易形成气泡,影响芯片的质量;砷化...
氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性,可以更好地抵抗高温和电磁干扰,因此可以替代砷化镓。
砷化镓二极管是一种半导体器件,它由砷化镓(GaAs)材料制成,具有较高的电流密度、较低的功耗和较快的响应速度。砷化镓二极管的原理是,当电压施加到砷化...
砷化镓是一种重要的半导体材料,它具有优异的电子特性,广泛应用于电子器件的制造。砷化镓具有良好的电子性能,具有高电子迁移率、低漏电流、高热稳定性和高热导率...
太赫兹(Terahertz,THz)是指频率在0.1THz到10THz之间的电磁波,这个区间覆盖了红外和微波光谱范围之间的电磁波谱部分。
激光器都是在外延的基础上做出芯片的结构设计,外延厚度2寸的在350um,4寸的在460um左右,到芯片后期,都需要对晶圆进行减薄,厚度有做到80um的,...
之前的砷化镓(GaAs)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)一样,氮化镓(GaN)是一项革命性技术,在实现未来的射频、微波和毫米波系统方面能够发挥巨...
砷化镓 (GaAs) 功率肖特基二极管的电气测量(静态和动态)技术
该文展示了新型砷化镓 (GaAs) 功率肖特基二极管与双极硅二极管相比的电气特性。该文还介绍了其电气测量(静态和动态)以及最先进的技术。 通常,硅双极二...
通过砷化镓制程的PN结测量建模可以得出VerilogA模型的正确性和通用性
本文中论述的是二极管的小信号模型,适用于半导体材料组成的PN结以及金属半导体组成的肖特基PN结。另外,论述的二极管的模型参数适用于GaAs HBT制程的...
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于...
太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池,然而由于原材料多晶硅的供应能力有限,加上国际炒家的炒作,导致国际市场上多晶硅价格...
2018-03-01 标签:砷化镓 2.7万 0
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