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标签 > 硅二极管
硅二极管死区电压约0.5伏,锗的0.1伏,正向压降硅0.6~0.7伏,锗0.2~0.3伏,硅反向电流小,耐压高,锗相反。
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为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大? 硅二极管和锗二极管是电子学中非常常见的两种二极管。二极管的死区电压是指当二极管处于反向偏置状态时,为...
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Qspeed硅二极管能协助克服高成本、低性能的电源设计挑战 基于项目的各种限制约束,设计人员在元器件选型过程通常会作出这样或那样的折衷。譬如,在设计一个电源
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