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硅片

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　硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。在米粒大的硅片上，已能集成16万个晶体管，这是科学技术进步的又一个里程碑。

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硅片技术

如何进行晶圆检测

在关键尺寸的在线量测环节，所运用的设备主要涵盖 CD-SEM 以及 OCD（optical critical dimention，光学关键尺寸）量测设备。

2025-03-06 标签：集成电路晶圆硅片 1154 0

晶圆的标准清洗工艺流程

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2025-03-01 标签：半导体晶圆硅片 171 0

降银耗新技术：银包铜浆料的低成本、高可靠性与环境适应性分析

研究背景HJT太阳电池因其高能量转换效率、较少的制造工序、较低的制备温度和更优的温度系数而受到广泛关注。HJT太阳电池的低温制备特性限制了浆料的选择，导...

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PFA过滤延展网在半导体硅片制备过程中的作用

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2025-01-20 标签：太阳能电池半导体硅片 273 0

深入剖析：封装工艺对硅片翘曲的复杂影响

在半导体制造过程中，硅片的封装是至关重要的一环。封装不仅保护着脆弱的芯片免受外界环境的损害，还提供了芯片与外部电路的连接通道。然而，封装过程中硅片的翘曲...

2024-11-26 标签：半导体封装硅片 968 0

硅片形貌效应及其与底部抗反射涂层(BARC)沉积策略关系的解析

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简述光刻工艺的三个主要步骤

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半导体外延生长方式介绍

本文简单介绍了几种半导体外延生长方式。

2024-10-18 标签：半导体工艺硅片 925 0

光伏多晶硅的分片方法及优缺点

光伏多晶硅是一种用于制造太阳能电池的材料，其分片过程是将整块的多晶硅切割成适合制造太阳能电池的小块。这个过程对于提高太阳能电池的效率和降低成本至关重要。...

2024-09-20 标签：太阳能电池光伏多晶硅硅片 664 0

美国进口 KRi 考夫曼离子源 KDC 160 硅片刻蚀清洁案例

上海伯东美国 KRi 大尺寸考夫曼离子源 KDC 160 适用于 2-4英寸的硅片刻蚀和清洁应用, KRi KDC 160 是直流栅网离子源, 高输出离...

2024-09-13 标签：电流硅片离子束 456 0

太阳能电池扩散制结后的边缘刻蚀工艺

隧穿氧化物钝化接触（TOPCon）技术仍吸引着光伏行业生产商的大量关注。然而，在生产环节中，电池会遇到绕镀和边缘漏电流的问题。这些现象会导致电池的光学和...

2024-07-27 标签：太阳能电池测试仪硅片 753 0

材料认识-硅抛光片和外延片

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前言我们常说到的硅片，根据尺寸来分类，主要有2"（50mm）、3"（75mm）、4"（100mm）、6"（150...

2024-05-22 标签：材料硅片 SOI 4619 0

N型少子寿命为何超越P型的原因解析

N型硅片通常需要更高纯度的硅料，这意味着它们含有的金属杂质较少，这些金属杂质可能会作为复合中心降低少子寿命。

2024-04-25 标签：半导体硅片 1815 0

专用集成电路都是大规模的吗

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2024-04-19 标签：半导体材料硅片数字信号处理器 586 0

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先看一些晶圆的基本信息，和工艺路线。晶圆主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前对8吋，12吋硅片的应用在不断扩大。这些直径分别为100mm、150mm、2...

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浅谈硅除杂工艺中的分凝机制和释放机制

分凝吸杂由杂质的溶解度梯度或硅片不同区域对杂质的溶解能力不同产生。与释放机制不同，分凝吸杂，吸杂区一般都在器件区的外边。

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半导体行业中的化学机械抛光技术

最后的抛光步骤是进行化学蚀刻和机械抛光的结合，这种形式的抛光称为化学机械抛光(CMP)。首先要做的事是，将晶圆片安装在旋转支架上并且要降低到一个垫面的高...

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详解硅的晶面及应用

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2024-01-11 标签：硅片金刚石单晶硅 1.9万 0

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