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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

碳化硅MOSFET在汽车动力逆变器中的优势有哪些呢？

新型电子研发组件在不断发展，也随之而来的是取得的成果。公司不断尝试开发越来越多的性能设备，特点是更高的效率和更好的电气特性。

2023-04-01 标签：转换器 MOSFET 逆变器 1908 0

氮化镓技术的壁垒是什么氮化镓晶体管工作原理

氮化镓晶体管型号参数主要包括电压限值、电流密度、功率密度、效率、温度系数、漏电流、漏电压、抗电磁干扰能力等。

2023-02-14 标签：晶圆晶体管氮化镓 1893 0

SiC动态表征和测量方法

碳化硅（SiC）技术为电源、电动汽车和充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。

2023-05-22 标签：MOSFET 寄生电感体二极管 1892 0

SiC外延片制备技术解析

碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。

2023-08-15 标签：晶圆功率器件 SiC 1888 0

碳化硅（SiC）相较于硅（Si）有哪些优势！

硅碳化物(SiC)技术已经达到了临界点，即无可否认的优势推动一项技术快速被采用的状态。

2023-09-07 标签：MOSFET SiC 碳化硅 1882 0

如何提高碳化硅器件的效率

高效率当然是一个优点，但有时“高”的说法并不准确，例如：家用电子设备散发出“较高”的热量，可以减轻您的中央供暖工作在寒冷气候中的工作量，或许能从能源使用...

2022-03-31 标签：碳化硅 GaN器件 SiCMOSFET 1878 0

浅谈电驱系统的演进路线及最核心技术

在电驱最重要的“动力”属性上，目前大多数的电车都存在动力过剩现象，以36w+的特斯拉 Model3P 为例，加速可以秒掉200w左右的性能油车，3w的宏...

2023-01-10 标签：电机控制减速器碳化硅 1875 0

碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势

摘要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切...

2023-01-11 标签：单晶衬底加工技术 1871 0

一文详解杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响

IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。

2024-03-08 标签：IGBT 功率模块碳化硅 1868 0

碳化硅器件介绍与仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。

2023-11-27 标签：二极管半导体仿真 1858 0

GaN晶体管与SiC MOSFET有何区别（下）

**氮化镓**晶体管和**碳化硅** MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通...

2023-02-03 标签：MOSFET 晶体管氮化镓 1852 0

背后功率器件那些事儿：MOSFET、IGBT及碳化硅的应用

当充电桩向高压架构发展的趋势越来越明显，高性能MOSFET的需求也越来越大，通过改进器件结构的超级结MOSFET应运而生了。

2023-02-13 标签：MOSFET IGBT 功率器件 1850 0

SiC MOSFET的设计和制造

首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。

2023-08-06 标签：芯片 MOSFET 晶圆 1847 0

一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法

一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底；通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层；形成掩模层以暴露基底的底层区域；并以第一速率用...

2022-03-29 标签：SiC 碳化硅刻蚀 1842 0

碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展

在碳化硅电力电子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受关注的器件。在Si材料接近理论性能极限的今天，SiC功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点...

2023-09-27 标签：新能源 MOSFET MOS 1834 0

碳化硅衬底市场群雄逐鹿碳化硅衬底制备环节流程

全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地。

2023-03-23 标签：晶体碳化硅第三代半导体 1816 0

SiC功率器件和模块！

SiC（碳化硅）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料。表1-1显示了每种半导体材料的电气特性。SiC具有优异的介电击穿场强（击穿场）和带隙...

2022-11-22 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1813 0

碳化硅技术如何变革汽车车载充电

为了提高OBC系统的能效，人们研究了不同的PFC拓扑结构，包括传统PFC、半无桥PFC、双向无桥PFC和图腾柱无桥PFC。

2021-04-14 标签：电动汽车二极管安森美半导体 1799 0

碳化硅的5大优势

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。

2023-12-12 标签：MOSFET 电源转换器肖特基二极管 1798 0

碳化硅原理及应用

碳化硅是一种半导体材料，它具有优异的电子特性，可以用于制造电子器件。它是由碳原子和硅原子组成的，具有高熔点、高热稳定性和高电阻率等特性。

2023-02-14 标签：电子器件半导体材料碳化硅 1791 0

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