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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(...
硅是半导体的传统材料,但其近亲碳化硅(SiC)最近已成为激烈的竞争对手。碳化硅的特性特别适合高温、高压应用。它提供了更高的效率,并扩展了功率密度和工...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比,SiC具有许多优势,包括10倍的击穿电场强度,3倍的带隙,以及实现器件结构所需的更广泛的p型...
随着科技的不断进步,电力电子设备在我们的日常生活和工业生产中发挥着越来越重要的作用。然而,随着电力电子设备向着更高效、更小型化以及更可靠的方向发展,传统...
碳化硅逆变器是一种基于碳化硅(SiC)半导体材料的功率电子设备,主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比,碳化硅逆变器具有许多优越性能,如...
以下是关于碳化硅晶圆和硅晶圆的区别的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有比硅(Si)更高的热导率、电子迁移率和击穿电场。这使...
电子器件的使用环境逐渐恶劣,航空航天、石油探测领域前景广阔,在热导率、击穿场等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的第三代半导体材...
碳化硅功率器件依托其开关性能的优势,在电机驱动系统中得到了广泛地应用,然而,其过快的开关响应速度及过大的开关振荡给系统带来了严重的EMI问题。通过采用理...
高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能
本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。这种 SiC JFET 适用于任何需要高功率和快速开关速度的应用。然而,它特别适合用于音频...
使用SpeedFit 2.0设计模拟器快速启动基于碳化硅的设计
了解电源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二极管的在线行为是设计过程中的关键组件。与硅基技术相比,作为一项相对较新的技术,可视化这些碳化硅组件...
以碳化硅(silicon carbide,SiC)为代表的宽禁带半导体器件,受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相...
二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁...
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