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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

使用碳化硅进行双向车载充电机设计

电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到2kW，到高端电动汽车中的22kW不等。传统上，...

2023-08-30 标签：电动汽车 SiC 碳化硅 1121 0

碳化硅成本何时下降？超充与换电方案孰优孰劣？

续航以及补能问题一直是困扰电动汽车发展的因素，当前主流电动汽车的电气系统电压范围在230V-480V，在相关法规政策明确限定充电桩充电电流的情况下，电动...

2022-09-27 标签：IGBT 碳化硅超充 1120 0

SiC模块的特征和电路构成

1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOS...

2023-02-07 标签：功率器件 SiC 碳化硅 1117 0

碳化硅MOSFET的应用场景

碳化硅(SiC)技术的新兴机遇是无限的。只要需要高度可靠的电源系统，SiC MOSFET就能为许多行业的许多不同应用提供高效率，包括那些必须在恶劣环境下...

2023-07-21 标签：MOSFET 晶体管 SiC 1116 0

使用开尔文连接提高SiC FET的开关效率

碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管，但需要使用低热阻封装，比如 TO-247。然而，此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅...

2023-06-12 标签：开关 FET SiC 1113 0

碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒有哪些？

SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。主流制造衬底的方式首先以物理气相升...

2023-08-04 标签：SiC 碳化硅 1110 0

碳化硅功率器件在车载充电机OBC中的应用2

OBC作为新能源汽车的核心部件之一，其效率、功率密度等参数对新能源汽车充电时间和续航里程具有一定影响。在保证系统可靠性和稳定性的前提下，更高的功...

2023-02-03 标签：新能源汽车碳化硅 OBC 1109 0

半导体材料的发展阶段

作为“二十世纪最重要的新四大发明”之一，半导体的重要性不言而喻。从电子产品到航空航天，从人工智能到生物医学，半导体无处不在，深刻地塑造着我们生活的方方面面。

2023-09-07 标签：半导体半导体材料 SiC 1106 0

使用碳化硅进行双向车载充电机设计

电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到 2 kW，到高端电动汽车中的 22 kW 不等...

2022-11-10 标签：电动汽车碳化硅车载充电机 1103 0

浅谈碳化硅功率半导体生产流程

碳化硅功率半导体生产流程主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。

2024-01-25 标签：晶圆功率半导体碳化硅 1097 0

一种基于实际频率测量的多频方法来构建复频率光波

超透镜Superlenses是由等离子体激元材料和超材料制成的，并在亚衍射尺度上，实现特征成像。

2023-08-31 标签：传感器衰减器 SiC 1090 0

碳化硅的特性、应用及动态测试

SiC是碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称，是一种用途广泛的材料。

2024-01-09 标签：半导体 SiC 碳化硅 1085 0

碳化硅二极管的使用方法和检测方法

　　碳化硅二极管是一种由碳化硅材料制成的半导体器件，它具有较高的强度、轻量、耐磨性和耐腐蚀性。碳化硅二极管的工作原理是，当电压通过碳化硅二极管时，电子会...

2023-02-15 标签：二极管半导体碳化硅 1081 0

使用碳化硅MOSFET提升工业驱动器的能源效率

两种元件都已经利用双脉波测试，从动态的角度加以分析。两者的比较是以应用为基础，例如600 V汇流排直流电压，开启和关闭的dv/dt均设定为5 V/ns。

2020-06-04 标签：MOSFET 碳化硅工业驱动器 1077 0

GaN与SiC功率器件的特点 GaN和SiC的技术挑战

　SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为...

2023-08-09 标签：驱动器 SiC 氮化镓 1072 0

碳化硅功率器件的可靠性分析方法和过程

碳化硅功率器件的可靠性是指该器件在正常工作条件下，能够持续稳定地提供所需的功率，并且不会出现故障或失效的可能性。

2023-02-19 标签：功率器件可靠性分析碳化硅 1068 0

大面积烧结的进步提高了功率模块的性能

以碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体可在功率转换应用中实现更快的开关速度、更低的损耗和更高的功率密度。随着功率半导体效率的提高，碳化...

2023-11-21 标签：SiC 氮化镓功率模块 1063 0

APEX微技术发布碳化硅SiC半桥集成电源模块：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技术和领先的封装设计，突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。

2023-04-27 标签：MOSFET 电源模块 SiC 1063 0

碳化硅在电力电子器件中的优势和应用

碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，由于其优于传统硅的性能，在电力电子行业中越来越受欢迎。

2023-11-08 标签：半导体电力电子器件 SiC 1059 0

碳化硅mos管在进行并联操作时需注意的事项有哪些？

技术人员在进行碳化硅MOSFET的并联操作时，通常需要采取一些措施保障来处理可能会出现的问题。

2023-12-06 标签：MOSFET 驱动器散热器 1056 0

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