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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

关于碳化硅的一些分享

理想比导通电阻的一个关系式，其中WD是满足所需击穿电压BV的漂移区的厚度，q是电子电荷，ND是漂移区的掺杂浓度，μn是电子迁移率，εn是半导体介电常数，...

2023-05-23 标签：MOSFET IGBT 肖特基二极管 1680 0

栅极驱动器以及SiC MOSFET栅极驱动

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。

2023-05-22 标签：MOSFET IGBT SiC 1770 0

SiC动态表征和测量方法

碳化硅（SiC）技术为电源、电动汽车和充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。

2023-05-22 标签：MOSFET 寄生电感体二极管 1896 0

借助SpeedFit设计仿真软件缩短比较分析的时间

相较于基于硅（Si）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）之类的传统技术，碳化硅（SiC）元件拥有明显的优点，因此很多应用都能从运用 SiC 器件中获益。

2023-05-22 标签：IGBT 晶体管 SiC 620 0

超共源共栅简史

这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

2023-05-22 标签：MOSFET SiC 碳化硅 311 0

使用SpeedFit 2.0设计模拟器快速启动基于碳化硅的设计

了解电源中碳化硅（SiC） MOSFET 和肖特基二极管的在线行为是设计过程中的关键组件。与硅基技术相比，作为一项相对较新的技术，可视化这些碳化硅组件...

2023-05-20 标签：电源 MOSFET 碳化硅 1564 0

使用行业标准无底板封装的碳化硅技术实现系统升级

本文探讨了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列无碳化硅无基板功率模块，并展示了这种多功能且可扩展的模块方法如何实现当前硅（Si）设计的...

2023-05-20 标签：SiC 碳化硅 877 0

有效测量碳化硅信号

SiC器件市场涵盖广泛的功率和应用（电动汽车充电，太阳能和风能等能量收集，电源逆变器，工业电源，数据中心）。在低端（1–50 kW），分立式 MOSF...

2023-05-20 标签：晶体管 SiC 碳化硅 953 0

中等功率应用是Wolfspeed WolfPACK功率模块“最理想的应用场合”

经过 30 多年的碳化硅（SiC）研发，我们目前的产品组合中包含各种 SiC 肖特基二极管、MOSFET 和功率模块，涵盖了广泛的功率要求。相较于硅（S...

2023-05-20 标签：转换器晶体管碳化硅 1290 0

SiC模块开启电机驱动器更高功率密度

牵引驱动器是电动汽车（EV）几乎所有能量的消耗源。因此，驱动系统必须尽可能提高效率，同时以最低重量占用最小空间 — 这些均旨在尽可能提高电动汽车的续航能力。

2023-05-19 标签：电动汽车驱动器 IGBT 1127 0

SiC赋能更为智能的半导体制造/工艺电源

半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺，半导体制造设备的电源都非常重要。

2023-05-19 标签：功率转换器 SiC 半导体器件 752 0

碳化硅将绿色替代品带入良性循环

太阳能架构通常分为三种配置。在住宅层面，微型逆变器支持1-4个面板块。组串式逆变器将面板集群从几千瓦聚合到大约 50 kW。从 50 kW 到 200 ...

2023-05-19 标签：太阳能逆变器碳化硅 867 0

企业数据中心基础设施中碳化硅的使用使气候和商业受益

碳化硅是一种复杂的材料，需要太阳温度一半的受控环境和高度专业化的晶体结构。它是人类已知的第二硬材料，在200+种可能的晶体形成中，只有一种可以用来制造半...

2023-05-19 标签：芯片半导体碳化硅 509 0

Wolfspeed不断发展以应对供应挑战并推出高性能Gen 3+芯片

碳化硅（SiC）长期以来一直被称为功率器件的理想半导体技术，通过设计和制造创新，通过提供更高的功率密度，更好的高速开关性能，更高的击穿场，更高的导热性，...

2023-05-19 标签：电动汽车晶圆碳化硅 1456 0

除了氮化镓，快充技术还须关注哪些领域

氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成为第三代半导体，其禁带宽度约是硅器件的3倍，击穿场强约是硅器件的10倍，因而具有更高的耐压能力以及更...

2023-05-19 标签：半导体氮化镓碳化硅 653 0

MOS_DS电压尖峰产生的原因

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。

2023-05-19 标签：MOSFET MOS管 SiC 6329 0

连续纤维增强陶瓷基复合材料研究与应用进展

连续纤维增强陶瓷基复合材料(以下简称陶瓷基复合材料)发明于20世纪70年代，历经近40年的发展，陶瓷基复合材料已成为战略性尖端材料，许多国外机构已具备了...

2023-05-18 标签：纤维 SiC 复合材料 3061 0

碳化硅肖特基二极管B2D60120H1性能优势

碳化硅的RDS（ON）较低，因而开关损耗也较低，通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电...

2023-05-18 标签：电源模块肖特基二极管充电桩 476 0

基本半导体BGH75N120HF1在高频DC-DC电源转换器的优势

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二...

2023-05-18 标签：电源转换器分立器件碳化硅 359 0

SiC MOSFET的设计挑战——如何平衡性能与可靠性

碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。

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