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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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我国拥有世界最大的汽车消费市场,为坚持可持续发展基本国策,需大力发展环保、节能、经济的电动汽车[1]。车主因担心驾驶电动汽车突然没电引起的焦虑问题主要有...
空调压缩机是热泵空调系统的核心,选择合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率,从而提髙整个系统的效率。这里使用了双脉冲测试电路,对1200V的碳化硅MO...
碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,...
BeO为纤锌矿型结构,单胞为立方晶系。其热传导能力极高,BeO质量分数为99%的BeO陶瓷,室温下其热导率(热导系数)可达310W/(m·K),为同等纯...
碳化硅SIC MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点
碳化硅MOS优点:高频高效,高耐压,高可靠性。可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度。
未来几年将看到电子设备和逻辑板的飞跃式增长。但作为电子产品和半导体渗透到新的行业和产品,设计师和制造商一直在寻找更好、更智能的制造方式这些重要组成部分。
减小了电场集中效应,提高了SiC器件的击穿电压,SiC MOSFET的击穿电压和具体的每一个开关单元有关,同时和耐压环也有很大的关系。
碳化硅功率器件依托其开关性能的优势,在电机驱动系统中得到了广泛地应用,然而,其过快的开关响应速度及过大的开关振荡给系统带来了严重的EMI问题。通过采用理...
在半导体材料领域,碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中,碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性,其耐高频耐高温的性能,是同等硅器件耐压的10倍。
Advantes和 Teradyne最知名的是自动化测试设备。许多其他事情中,ATE工具取出探针卡,将它们与晶圆上的芯片完美对齐,并与晶圆上的电路进行物...
新型电子研发组件在不断发展,也随之而来的是取得的成果。公司不断尝试开发越来越多的性能设备,特点是更高的效率和更好的电气特性。
作为高可靠性芯片连接技术,银烧结技术得到了功率模块厂商的广泛重视,一些功率半导体头部公司相继推出类似技术,已在功率模块的封装中取得了应用。
在车载充电器领域,碳化硅MOSFET的渗透率已很高。电机控制器将是近几年碳化硅MOSFET要更高速发展的关键因素。
交通应用中电气化的趋势导致了高功率密度电力电子转换器的快速发展。高开关频率和高温操作是实现这一目标的两个关键因素。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作为一种新型功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性...
另外相比IGBT,碳化硅更耐高压的优势(千伏以上),更适用于后续更多新能源车型将要搭载的800v电气架构,不止用在主逆变器上,还可以应用到高压充电桩、高...
电子器件的使用环境逐渐恶劣,航空航天、石油探测领域前景广阔,在热导率、击穿场等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为主的第三代半导体材...
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