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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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IGBT、MCU、以及SIC会是接下来新能源汽车智能化比较长期的需求点,根据特斯拉Model3的车型用量来看,单车使用IGBT是84颗,或者48颗Sic...
全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节,已成为兵家必争之地。
碳化硅产业链主要包括衬底、外延、器件设计、制造、封测等环节。上游是衬底和外延、中游是器件和模块制造,下游是终端应用。
GaN:由镓(原子序数 31) 和氮(原子序数 7) 结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。
虽然将典型 400 V 电池的电压加倍可为 EV 带来巨大好处,但对于依赖硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆变器来说,在更高电压下的...
显然特斯拉用的是意法半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品,第四代产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向,但意法半导体要到2025年才开始推出。
SiC 晶体中不同类型的位错通常是根据腐蚀坑的形貌和尺寸来完成定量分析的。如图 7(a)所示, 大六边形没有底部的腐蚀坑代表 MP,中六边形有底部的腐蚀...
硅(Si)基电力电子器件长期以来一直主导着电力电子行业,因为它们的技术成熟度和相对容易获得。
氧化镓有5种同素异形体,分别为α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3(β相氧化镓)最为稳定,当加热至一定高温时,其他亚稳态均转换为β相,在熔点1800℃...
作为金属脱氧剂,碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂,取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧,各项理化性能稳定,脱氧效果好,时间缩短,提高炼钢效率,提高钢的质量,...
凭借领先的GaNFast™氮化镓功率芯片+强力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的产品组合,纳微半导体以双擎驱动的姿态在电力电子能源转换领域高歌前进。
汽车碳化硅逆变器是一种基于碳化硅芯片制造的逆变器,用于将直流电转换为交流电,以驱动电动车的电动机。其主要原理是利用逆变器电路中的三相桥式变流器,将直...
汽车碳化硅芯片是一种新型的功率半导体器件,相比传统的硅基功率器件,它具有更高的工作温度、更低的开关损耗和更高的开关速度等优点,因此被广泛应用于汽车电...
碳化硅(SiC)技术改进了各种应用中的多个系统和子系统组件。与硅相比,碳化硅通过更快的开关、在整个温度范围内的平坦RDS(on)和更好的体二极管性能表现...
碳化硅(SiC)由硅(原子序数14)和碳(原子序数6),形成类似于金刚石的强共价键,是一种坚固的六方结构化合物,具有宽禁带半导体特性。
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