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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

Si基GaN功率器件制备技术与集成

宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。

2023-08-09 标签：MOSFET 功率半导体碳化硅 871 0

电装和三菱电机将在碳化硅业务上合计投资10亿美元

市场估计表明，SiC总潜在市场将从2022年的30亿美元增长到2030年的210亿美元，复合年增长率为28%。相干公司宣布，电装和三菱电机将在其碳化硅...

2023-10-12 标签：三菱电机功率器件电装 871 0

碳化硅将绿色替代品带入良性循环

太阳能架构通常分为三种配置。在住宅层面，微型逆变器支持1-4个面板块。组串式逆变器将面板集群从几千瓦聚合到大约 50 kW。从 50 kW 到 200 ...

2023-05-19 标签：太阳能逆变器碳化硅 867 0

碳化硅MOSFET的使用方法和效率高的原因

　　碳化硅MOSFET器件是一种半导体器件，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFE...

2023-02-15 标签：MOSFET 半导体碳化硅 865 0

汽车直流充电桩设计图

传统汽车行业的智能化、电动化趋势带来了充电桩产品的爆发式增长，但同时大功率化、双向充电以及更高更宽的输出电压范围也成了充电桩的技术挑战。

2023-11-13 标签：MOSFET 元器件 MOS 863 0

意法半导体生产200毫米碳化硅大晶圆，将用于功率器件原型设计

碳化硅（SiC）晶圆经常出现在新闻中，这一事实预示着这种宽带隙（WBG）材料作为颠覆性半导体技术的证书，适用于更小、更轻、更高效的电力电子设备。

2022-12-15 标签：电动汽车意法半导体碳化硅 855 0

为您的设计选择最佳选项：碳化硅MOSFET相对于IGBT的优势！

GBT（绝缘栅双极晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）用于许多不同类型的电源应用，包括可再生能源、航空航天、汽车和运输、测试和测量以及...

2023-02-12 标签：MOSFET IGBT 晶体管 853 0

浅析5G系统对蜂窝无线的功率放大器设计

尽管 5G 提升了带宽，但其更高的频率更容易造成信号衰减。由于更高的带宽会导致更低的信噪比（SNR），增加带宽并不会导致容量的线性增加。解决这一问题的一...

2022-10-17 标签：功率放大器碳化硅 5G 853 0

国产碳化硅MOS推荐-DCDC转换器

DCDC转换器是一种临时储存电能的设备，作用是将直流电从一个电压水平转换为另一个电压水平。

2023-11-17 标签：隔离器直流电 dcdc转换器 852 0

为什么选择SiC作为下一个双向板载充电器设计呢？

硅（Si）基电力电子器件长期以来一直主导着电力电子行业，因为它们的技术成熟度和相对容易获得。

2023-03-07 标签：MOSFET 驱动器充电器 847 0

电源解决方案跟摩尔定律有何关系？它如何跟上摩尔定律的步伐？

根据电源解决方案或与功耗、能源效率或整体能源或碳足迹相关的分析来对任何系统（或系统集合）进行分析时，将源与负载分开出来能帮助整个过程。

2024-03-28 标签：摩尔定律晶体管碳化硅 846 0

碳化硅技术的挑战与应用

碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的半导体材料，用于制造电动汽车（EV）、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。与IGBT和MOSFET等传统...

2023-12-05 标签：MOSFET 半导体功率器件 842 0

纳微半导体3.3kV碳化硅MOSFETs如何变革并网储能方式

电网通过输电和配电网络从发电机向用户提供电能。在美国，由于储能成本高昂并且设计和运营经验有限，利用电力储存来支持和优化输配电一直受到限制。

2023-09-15 标签：MOSFET 逆变器碳化硅 832 0

全面的SiC功率器件行业概览

SiC功率器件市场正处于快速增长阶段，特别是在汽车电动化趋势的推动下，其市场规模预计将持续扩大。根据Yole Group的报告，汽车行业对SiC功...

2024-04-07 标签：新能源汽车晶圆功率器件 814 0

碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较

过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用碳化硅技术来开发基于各种半导体器件的功率模块，如...

2024-05-30 标签：功率器件 SiC 碳化硅 812 0

碳化硅器件“上车”加快，800V高压平台蓄势待发

根据研究和规模化应用的时间先后顺序，业内将半导体材料划分为三代。常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓...

2023-09-28 标签：MOSFET IGBT 功率器件 807 0

碳化硅升华生长温度测控研究

摘要：通过调节中频感应线圈的输出功率来改变碳化硅升华生长坩埚的加热温度，并采用 NaCl 和 Al2O3 进行烧结实验，观察不同输出功率下烧结后的形貌变...

2024-01-11 标签：半导体 SiC 碳化硅 806 0

碳化硅功率器件的特点和应用

随着全球能源危机和环境问题的日益突出，高效、环保、节能的电力电子技术成为了当今研究的热点。在这一领域，碳化硅（SiC）功率器件凭借其出色的物理性能和电学...

2024-02-22 标签：半导体功率器件碳化硅 802 0

分立3.3 kV SiC MOSFET关键指标的分析

理由相信潮流正在转变。正如TechInsights在不久前发布的PCIM Europe 2023 -产品公告和亮点博客[4]文章中所讨论的那样，英飞凌宣...

2023-06-03 标签：SiC 碳化硅 801 0

晶体制备技术：碳化硅衬底成本降低的关键路径

液相法的核心在于使用石墨坩埚作为反应器，通过在熔融纯硅中加入助溶剂，提高其对碳的溶解度。在坩埚靠近壁面的高温区域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 标签：SiC 半导体器件碳化硅 800 0

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