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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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在半导体材料领域,碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中,碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性,其耐高频耐高温的性能,是同等硅器件耐压的10倍。
与传统的硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他技术相比,碳化硅(SiC)技术具有更多优势
碳化硅解决方案满足了依赖半导体的可再生能源系统的所有需求,因为它们可以提高功率密度、降低开关损耗和开关频率。Wolfspeed 碳化硅解决方案使太阳能功...
碳化硅(SiC)功率元器件是一种半导体器件,具有许多独特的特性,使其在高性能电力电子应用中具有优势。以下是SiC功率元器件的一些主要特征: 碳化硅(Si...
第三代半导体材料拥有硅材料无法比拟的材料性能优势,从决定器件性能的禁带宽度、热导率、击穿电场等特性来看,第三代半导体均比硅材料优秀,因此,第3代半导体的...
随着电力电子技术的不断发展,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型的半导体材料,在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件...
碳化硅(SiC)是一种具有优异物理特性的半导体材料,其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。
随着科技的不断进步,碳化硅(SiC)作为一种新型的半导体材料,在功率器件领域的应用越来越广泛。碳化硅功率器件在未来具有很大的发展潜力,将在多个领域展现出...
另外相比IGBT,碳化硅更耐高压的优势(千伏以上),更适用于后续更多新能源车型将要搭载的800v电气架构,不止用在主逆变器上,还可以应用到高压充电桩、高...
宽禁带半导体往往具备高的击穿场强、高的电子饱和速度和强的抗辐射等特性,在全球半导体产业博弈加剧的背景下,近年来持续受到产业界的高度关注。
碳化硅(SiC) 是第三代半导体,相较于前两代半导体(一代硅,二代砷化钾)碳化硅在使用极限性能,上优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的...
随着科技的不断进步,电力电子技术在能源转换、电机控制、电网管理和可再生能源系统等领域的应用越来越广泛。碳化硅(SiC)作为一种优秀的半导体材料,具有高频...
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