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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

碳化硅功率器件的优势和应用领域

在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数...

2024-09-13 标签：半导体功率器件 SiC 751 0

碳化硅器件封装中的3个关键技术指标是什么

传统模块封装使用的敷铜陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二维平面上布局，电流回路面积大，杂散电感参数大。CPES...

2023-08-14 标签：pcb 功率器件 SiC 747 0

碳化硅功率器件的应用与市场前景

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能，使其在功率器件领域具有广泛的应用前景。本文将对碳化硅功...

2024-01-17 标签：半导体功率器件 SiC 746 0

碳化硅（SiC）功率器件探讨：未来的能源解决方案

随着全球对更高效、更可持续能源解决方案的需求不断增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和电气特性而成为电力电子领域的一个重要进展。

2024-04-15 标签：导通电阻功率器件 SiC 744 0

碳化硅功率器件封装技术解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些...

2023-09-24 标签：封装技术 BGA 功率器件 736 0

小米汽车发布会：自研小米800V碳化硅高压平台

小米自研小米800V碳化硅高压平台：871V

2023-12-28 标签：碳化硅小米汽车 800V平台 736 0

碳化硅功率器件的应用和发展

碳化硅功率器件是一种新型的半导体器件，由于其具有高温工作能力、高击穿场强、高电子迁移率等优点，被广泛应用于许多领域，包括电动汽车、可再生能源、工业电机和...

2023-08-08 标签：电动汽车半导体功率器件 731 0

恶劣环境电力电子系统中碳化硅功率半导体器件应用

近年来，随着功率半导体产业的快速发展，功率器件封测设备和材料在整个产业链的作用越来越重要，国内也涌现出了一大批优秀企业。

2023-02-10 标签：电力电子功率器件碳化硅 729 0

碳化硅功率器件的优势、应用领域及未来趋势

随着科技的不断进步，电力电子设备在各种领域中的应用越来越广泛。然而，传统的硅基功率器件已逐渐达到其性能极限。为了满足不断增长的性能需求，碳化硅（SiC）...

2023-12-13 标签：功率器件 SiC 碳化硅 726 0

SiC系统梳理贴

1月5日，比亚迪发布会重磅发布了2款新的SiC电控的车型：比亚迪发布2款仰望车型搭载SiC电控，时隔2年，比亚迪再次公布了2款SiC电控的车型。正式发布...

2023-06-29 标签：半导体材料 SiC 碳化硅 725 0

碳化硅功率器件：高效能源转换的未来

在现代电子行业，随着能源效率要求的不断提高和高温、高频、高压应用的增多，传统的硅（Si）基功率器件正逐渐显露出性能上的局限性。

2024-04-29 标签：电动汽车功率器件 SiC 722 0

富昌电子系统设计中心SiC版逆变器方案

该方案基于NXP Power架构主控MCU平台，融合了ON隔离预驱芯片及碳化硅功率器件，以及NXP电源管理芯片，可实现汽车功能安全标准ISO26262的...

2022-10-31 标签：逆变器碳化硅 SiC MOSFET 722 0

利用C2000实时MCU提高GaN数字电源设计实用性

与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换...

2023-07-23 标签：mcu 数字电源 GaN 718 0

华为2024年部署将超过10万个全液冷超快充充电桩

随着以碳化硅和氮化镓为代表的第三代功率半导体与高倍率动力电池的日益成熟，电动汽车正加速向高压化超充方向发展。全面高压化将从B、C级车走向A级车及商用车，...

2023-12-18 标签：动力电池华为 MOS 715 0

探讨蔚来全域900V高压架构的技术储备

新一代900V高性能电驱平台采用自研面向900V的碳化硅电驱平台，双电机冗余设计保证了在恶劣天气和湿滑路面上的稳定行驶，后永磁同步电机在体积更小的情况下...

2023-12-26 标签：永磁同步电机 DC-DC 碳化硅 707 0

碳化硅功率器件的封装—三大主流技术

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。

2023-09-27 标签：BGA SiC 芯片封装 703 0

碳化硅肖特基二极管的优势和应用领域

在当今快速发展的电力电子领域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有...

2023-12-29 标签：肖特基二极管碳化硅宽禁带半导体 703 0

如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

有效的热管理对于防止SiC MOSFET失效有很大的关系，环境过热会降低设备的电气特性并导致过早失效，充分散热、正确放置导热垫以及确保充足的气流对于 M...

2023-12-05 标签：MOSFET SiC 热管理 700 0

SiC MOSFET沟道迁移率提升工艺介绍

过去三十年，碳化硅功率半导体行业取得了长足的进步，但在降低缺陷方面依然面临着重大挑战。其主要问题是——碳化硅与栅氧化层之间的界面处存在着大量的缺陷。在N...

2024-10-16 标签：MOSFET 半导体晶圆 699 0

用碳化硅(SiC)重新思考软开关效率

从理论上讲，碳化硅(SiC)技术比硅(Si)具有优势，这使得它看起来可以作为电力电子中现有MOSFET的直接替代品。这在一定程度上是正确的，但只要关注该...

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