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碳化硅

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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。

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碳化硅技术

碳化硅MOSFET概述、特性及应用

　　在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率...

2023-02-12 标签：二极管 MOSFET 滤波器 3178 0

浅谈电动汽车中的碳化硅应用

随着技术的发展，电动汽车对电力电子功率驱动等系统提出了更高的要求，即更轻、更紧凑、更高效、更可靠等，但是传统的硅基功率器件由于材料的限制，其各方面的特性...

2023-02-12 标签：变换器驱动碳化硅 1216 0

小编科普一下碳化硅的理化性质

碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅为应用最广泛、...

2023-02-12 标签：SiC 碳化硅电热元件 2111 0

碳化硅SiC MOSFET器件的结构及特性

　　SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元...

2023-02-12 标签：MOSFET SiC 氮化镓 4930 0

碳化硅MOSFET对比硅IGBT的优势

　　开关器件在运行过程中存在短路风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

2023-02-12 标签：MOSFET IGBT 开关器件 2402 0

SiC MOSFET和SiC IGBT的区别

　　在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率...

2023-02-12 标签：MOSFET IGBT PN结 3097 0

为您的设计选择最佳选项：碳化硅MOSFET相对于IGBT的优势！

GBT（绝缘栅双极晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）用于许多不同类型的电源应用，包括可再生能源、航空航天、汽车和运输、测试和测量以及...

2023-02-12 标签：MOSFET IGBT 晶体管 851 0

碳化硅二极管是什么意思碳化硅二极管如何测量好坏

　　碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表...

2023-02-10 标签：二极管半导体开关电源 2713 0

碳化硅二极管的区别和用途

随着终端应用电子架构复杂程度提升，硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求。近 20 多年来，以碳化硅(silicon carb...

2023-02-10 标签：功率器件 SiC 碳化硅 993 0

恶劣环境电力电子系统中碳化硅功率半导体器件应用

近年来，随着功率半导体产业的快速发展，功率器件封测设备和材料在整个产业链的作用越来越重要，国内也涌现出了一大批优秀企业。

2023-02-10 标签：电力电子功率器件碳化硅 729 0

什么是碳化硅？碳化硅的抛光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。

2023-02-10 标签：功率器件 SiC CMP 3199 0

氮化镓晶体管的结构及优缺点

　　氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参...

2023-02-09 标签：MOSFET 晶体管氮化镓 6005 0

碳化硅应该做IDM吗

今天看到一家刚成立3年，专做化合物半导体外延的公司获得3亿元A轮融资。该公司专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片，同时提供包含GaN on Silicon、...

2023-02-09 标签：半导体氮化镓碳化硅 659 0

聊一聊碳化硅的下一波的制造、供应链和成本

　毛里齐奥·迪·保罗·埃米利奥：好的。所以今天，我们就来聊聊SiC，下一波SiC在制造、供应链、成本等方面。

2023-02-09 标签：碳化硅 942 0

SIC碳化硅SIC二极管器件的作用与发展趋势

碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料，其击穿场强是硅的10倍，热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境...

2023-02-09 标签：半导体材料碳化硅 MOS器件 1040 0

碳化硅二极管的特点

碳化硅二极管具有较短的恢复時间、溫度针对电源开关个人行为的危害较小、规范操作温度范畴为-55℃到175℃，那样更平稳，还大幅度降低热管散热器的要求。碳化...

2023-02-09 标签：二极管散热器碳化硅 1019 0

大功率碳化硅二极管的应用

由于碳化硅材料的带隙很宽（4H型碳化硅在室温下约为3.26eV），碳化硅器件能够在很高的温度下工作而不至于因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料...

2023-02-09 标签：电场碳化硅大功率器件 637 0

碳化硅肖特基二极管的特点

碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm，其导热率是硅的3.3倍，为49w/c...

2023-02-09 标签：二极管半导体碳化硅 670 0

碳化硅二极管反向恢复原理详解

　　碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有...

2023-02-08 标签：二极管功率二极管电流 2869 0

碳化硅二极管的应用及作用

　　碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(...

2023-02-07 标签：二极管半导体功率器件 1641 0

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