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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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*文末有礼 碳化硅(SiC) 正在改变人类能源控制和转换的方式,带来一场颠覆性变革。电动汽车、可再生能源、储能和不间断电源等许多应用都能通过SiC实现性...
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术,它可以用于控制电流和电压,以及检测电阻、电容、电压和电流等参数,以确定电子设备是否正常工作。
碳化硅晶体是一种性能优异的半导体材料,在信息、交通、能源、航空、航天等领域具有重要应用。春节期间,中科院物理研究所科研团队们正在探索用一种新的方法生长碳...
2023-01-31 标签:碳化硅 673 0
碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm,其导热率是硅的3.3倍,为49w/c...
随着对电动汽车(EV)需求的持续增长,制造商正在比较两种半导体技术,即碳化硅和硅,用于电力电子应用。碳化硅(SiC)具有耐高温、低功耗、刚性,并支持EV...
汽车碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制作汽车零部件的技术,它可以提高汽车零部件的性能,提高汽车的效率、耐久性和可靠性,并且可以降低汽车的成本。
5G还围绕提供满足带宽、延迟和数据速度新要求的连接所需的技术和基础设施设计带来了新的思维。它不仅需要在宏观层面实现致密化——这意味着更多的基站——还需要...
近日,中科院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员刘晓迪等与中国科学技术大学教授李传锋、教授许金时、研究员王俊峰(现四川大学)等合作,在国际上首次实现了...
氮化镓 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成为第三代半导体,其禁带宽度约是硅器件的3倍,击穿场强约是硅器件的10倍,因而具有更高的耐压能力以及更...
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