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标签 > 碳化硅
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
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碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境...
碳化硅的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm,其导热率是硅的3.3倍,为49w/c...
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(...
碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅很久以前就被发现了
1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因...
SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内...
厚度以及一致性 掺杂和一致性 表面缺陷快速检测和标识追踪能力 底部缺陷快速检测和标识追踪能力 控制扩展缺陷 清洗 大尺寸的晶圆翘曲度的控制
交流充电桩:本质是一个带控制的插座,主要包含交流电表、控制主板、显示屏、急停旋钮、 交流接触器、充电枪线等结构,结构较为简单,需要车载充电机自己进行变压...
进入90年代以后,第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的半导体材料逐渐出现,使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初,碳化硅,氮化镓等具有宽禁带的第...
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕见,主要通过人工合...
碳化硅电力电子支持可再生能源等新兴产业(包括太阳的,烫的和风力)、EV/HEV动力系统,以及电动火车、公共汽车和其他类型的公共交通工具。
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在...
碳化硅的应用越来越广泛,而现在科技市场的大力发展,碳化硅的功劳也是不容小觑,碳化硅在工业方面的应用可以说是比较广泛、经济的一种,那么碳化硅用途主要有哪些...
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